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          爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2010-09-06
				來源：鉅亨網(wǎng)
				
				
				
				
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          　　爾必達(dá)內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計(jì)劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/112373.htm

          　　這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來開發(fā)這個(gè)4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結(jié)構(gòu)不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動?xùn)?floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項(xiàng)新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場上產(chǎn)品體積更小、功能更強(qiáng)大NAND閃存芯片。
          

          　　爾必達(dá)的目標(biāo)是成為全球第一個(gè)大規(guī)模生產(chǎn)基于電荷擷取技術(shù)NAND閃存芯片的芯片制造商。
          

          　　諸如爾必達(dá)等僅生產(chǎn)DRAM(dynamic random access memory)芯片的半導(dǎo)體制造商正在試圖增加生產(chǎn)閃存芯片的能力，以滿足將閃存和DRAM整合成單一模塊以用于移動電話的強(qiáng)烈需求。這類產(chǎn)品的市場正日益增長，部分原因是智能手機(jī)的全球普及。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            爾必達(dá)
                        NAND
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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