全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲器技術

　　全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術，試產出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲器技術，進一步強化合作關系。

　　全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計畫，就是看好未來廣大的行動運算市場。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺積電也于2010年宣布與ARM，合作開發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲器及標準元件庫在內的實體智財產品。

　　因此，全球晶圓大動作公布采用28納米制程產出首顆ARM Cortex-A9芯片，亦被業(yè)界認為宣示意味濃厚，全球晶圓進一步指出，該芯片于德國德勒斯登Fab1進行試產，預計于2010年底前進行量產。

　　根據全球晶圓與ARM的估計，相較于40納米制程，28納米制程可望提升40%的效能、同時降低30%的功耗，并提升100%的待機電池續(xù)航力。

　　ARM執(zhí)行副總裁Simon Segars表示，隨著半導體推進先進制程，設計與制造端的合作將會更為緊密，透過ARM的矽智材與全球晶圓經驗證的量產能力，將會對行動運算領域帶來創(chuàng)新的平臺，并且將使客戶更快速進入28納米HKMG的技術領域。

　　同時，全球晶圓也公布和飛思卡爾一系列基于90納米快閃存儲器技術的新薄膜存儲器(TFS)計畫，飛思卡爾計畫將該技術應用于新一代的的微控制器(MCU)上，可針對從消費電子產品和家用電器到醫(yī)療設備和智能計量系統的各種應用。

　　全球晶圓指出，90納米薄膜存儲器技術與其它傳統的NVM架構不同，采用1種創(chuàng)新型矽納米晶體技術，具有位元級的可靠性、速度、功率和尺寸。

　　根據雙方的合作細節(jié)，飛思卡爾的TFS技術具有FlexMemory功能，可配置電可程序設計存儲器(EEPROM)，將應用于飛思卡爾ColdFire和Kinetis系列32位元MCU產品。該系列產品將采用全球晶圓的90納米技術制造。早期測試芯片已經在全球晶圓位于新加坡的Fab7進行生產，預計技術認證將于2011年上半年完成。

　　隨著摩爾定律延伸，技術層次越高，如同臺積電發(fā)展More-than-Moore技術，全球晶圓也寄望切入微機電(MEMS)、類比技術等領域，拓展多樣性的市場機會。