中芯國(guó)際最新技術(shù)路線圖發(fā)布 32nm研發(fā)加速進(jìn)行

　　作為中國(guó)本土最大的芯片制造商，中芯國(guó)際的技術(shù)動(dòng)向無疑是業(yè)界的焦點(diǎn)。中芯國(guó)際已走過10個(gè)年頭，9月16日舉辦的的技術(shù)研討會(huì)恰逢其成立10周年，新領(lǐng)導(dǎo)班子的集體亮相、最新技術(shù)路線圖的發(fā)布、研發(fā)進(jìn)展?fàn)顩r等，成為了此次研討會(huì)的最大亮點(diǎn)。

　　中芯國(guó)際最新技術(shù)路線圖發(fā)布

　　“中芯國(guó)際對(duì)于技術(shù)的發(fā)展投入不遺余力，這也是我們能夠在中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界得以領(lǐng)先的最重要原因。”中芯國(guó)際COO Simon Yang博士說，“今年年底我們將結(jié)束55nm的研發(fā)，本月底40nm的研發(fā)將freeze，32nm的設(shè)備PO已發(fā)出，研發(fā)也已于今年5月啟動(dòng)。”中芯國(guó)際中短期的技術(shù)路線圖見表1。

　　“截至2010年8月底，中芯國(guó)際的專利共4060件。雖然與國(guó)際先進(jìn)公司還有差距，但是在國(guó)內(nèi)已遙遙領(lǐng)先。我們的45/40nm光罩完全由中芯國(guó)際自己的光罩廠制造，充分證明了中芯國(guó)際在芯片制造領(lǐng)域的實(shí)力。”Simon Yang博士坦言。

　　中芯國(guó)際2000年由上海起步，經(jīng)過10年的發(fā)展，已在中國(guó)大陸“遍地開花”，200mm及300mm生產(chǎn)線均已有5條(包括已建成的深圳300mm生產(chǎn)線)。各生產(chǎn)線的產(chǎn)能規(guī)劃也在此次研討會(huì)公布(見表2)。

　　32nm研發(fā)加速

　　“毫無疑問，Intel是芯片制造技術(shù)的領(lǐng)先者，最先進(jìn)的技術(shù)往往由Intel發(fā)布。作為代工廠，中芯國(guó)際的65/60nm技術(shù)大約比其晚4年，但是從45/40nm開始，我們的研發(fā)已經(jīng)加速，32nm技術(shù)只落后2年左右。預(yù)計(jì)在2013年3月，我們的32nm就將進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證。” Simon Yang博士說。

　　周梅生博士從工藝角度對(duì)中芯國(guó)際的技術(shù)進(jìn)行了解析。“在柵極部分，32nm將會(huì)采用高K金屬柵工藝，以此取代以往的Poly/SION，這是亮點(diǎn)，當(dāng)然也是難點(diǎn)所在，中芯國(guó)際將會(huì)采用的是Gate Last技術(shù);在關(guān)鍵的光刻部分，依然是采用現(xiàn)在主流的浸入式光刻;應(yīng)變硅部分會(huì)采用SMT和SiGe。

　　季明華博士重點(diǎn)介紹了邏輯和SOC技術(shù)。“中芯國(guó)際的45nm LL(Low Leakage)和GP(Generic with High Performance)來自IBM，在此基礎(chǔ)上形成了中芯國(guó)際的45nm LL和GP技術(shù)，再進(jìn)一步經(jīng)過縮小，即有了40nm LL和GP。40LL將在本月底freeze，隨后會(huì)經(jīng)過3-6個(gè)月的認(rèn)證。從技術(shù)層面看，SoC技術(shù)它以超深亞微米VDSM(Very Deep Submicron)工藝和知識(shí)產(chǎn)權(quán)IP為支撐，是集成電路發(fā)展的必然趨勢(shì)和主流，也是中芯國(guó)際未來的重點(diǎn)之一。

　　對(duì)于芯片制造來說，只有市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者才能實(shí)現(xiàn)盈利，后來者就只能通過價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)來取得市場(chǎng)份額。32nm芯片的研發(fā)費(fèi)用已高達(dá)$100milion，但中芯國(guó)際32nm加速發(fā)展，22nm也已提上日程。無論是產(chǎn)業(yè)布局，還是技術(shù)發(fā)展進(jìn)度，中芯國(guó)際都已成為中國(guó)芯片制造業(yè)的標(biāo)桿。