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          中芯國際最新技術(shù)路線圖發(fā)布 32nm研發(fā)加速進(jìn)行

          作者: 時(shí)間:2010-09-17 來源:SEMI 收藏

            作為中國本土最大的芯片制造商,的技術(shù)動(dòng)向無疑是業(yè)界的焦點(diǎn)。已走過10個(gè)年頭,9月16日舉辦的的技術(shù)研討會(huì)恰逢其成立10周年,新領(lǐng)導(dǎo)班子的集體亮相、最新技術(shù)路線圖的發(fā)布、研發(fā)進(jìn)展?fàn)顩r等,成為了此次研討會(huì)的最大亮點(diǎn)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/112759.htm

            最新技術(shù)路線圖發(fā)布

            “中芯國際對(duì)于技術(shù)的發(fā)展投入不遺余力,這也是我們能夠在中國半導(dǎo)體業(yè)界得以領(lǐng)先的最重要原因。”中芯國際COO Simon Yang博士說,“今年年底我們將結(jié)束55nm的研發(fā),本月底40nm的研發(fā)將freeze,的設(shè)備PO已發(fā)出,研發(fā)也已于今年5月啟動(dòng)。”中芯國際中短期的技術(shù)路線圖見表1。

            “截至2010年8月底,中芯國際的專利共4060件。雖然與國際先進(jìn)公司還有差距,但是在國內(nèi)已遙遙領(lǐng)先。我們的45/40nm光罩完全由中芯國際自己的光罩廠制造,充分證明了中芯國際在芯片制造領(lǐng)域的實(shí)力。”Simon Yang博士坦言。

            中芯國際2000年由上海起步,經(jīng)過10年的發(fā)展,已在中國大陸“遍地開花”,200mm及300mm生產(chǎn)線均已有5條(包括已建成的深圳300mm生產(chǎn)線)。各生產(chǎn)線的產(chǎn)能規(guī)劃也在此次研討會(huì)公布(見表2)。

            研發(fā)加速

            “毫無疑問,Intel是芯片制造技術(shù)的領(lǐng)先者,最先進(jìn)的技術(shù)往往由Intel發(fā)布。作為代工廠,中芯國際的65/60nm技術(shù)大約比其晚4年,但是從45/40nm開始,我們的研發(fā)已經(jīng)加速,技術(shù)只落后2年左右。預(yù)計(jì)在2013年3月,我們的32nm就將進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證。” Simon Yang博士說。

            周梅生博士從工藝角度對(duì)中芯國際的技術(shù)進(jìn)行了解析。“在柵極部分,32nm將會(huì)采用高K金屬柵工藝,以此取代以往的Poly/SION,這是亮點(diǎn),當(dāng)然也是難點(diǎn)所在,中芯國際將會(huì)采用的是Gate Last技術(shù);在關(guān)鍵的光刻部分,依然是采用現(xiàn)在主流的浸入式光刻;應(yīng)變硅部分會(huì)采用SMT和SiGe。

            季明華博士重點(diǎn)介紹了邏輯和SOC技術(shù)。“中芯國際的45nm LL(Low Leakage)和GP(Generic with High Performance)來自IBM,在此基礎(chǔ)上形成了中芯國際的45nm LL和GP技術(shù),再進(jìn)一步經(jīng)過縮小,即有了40nm LL和GP。40LL將在本月底freeze,隨后會(huì)經(jīng)過3-6個(gè)月的認(rèn)證。從技術(shù)層面看,SoC技術(shù)它以超深亞微米VDSM(Very Deep Submicron)工藝和知識(shí)產(chǎn)權(quán)IP為支撐,是集成電路發(fā)展的必然趨勢和主流,也是中芯國際未來的重點(diǎn)之一。

            對(duì)于芯片制造來說,只有市場的領(lǐng)導(dǎo)者才能實(shí)現(xiàn)盈利,后來者就只能通過價(jià)格競爭來取得市場份額。32nm芯片的研發(fā)費(fèi)用已高達(dá)$100milion,但中芯國際32nm加速發(fā)展,22nm也已提上日程。無論是產(chǎn)業(yè)布局,還是技術(shù)發(fā)展進(jìn)度,中芯國際都已成為中國芯片制造業(yè)的標(biāo)桿。



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