Gate-first HKMG工藝不行了？IBM技術(shù)聯(lián)盟成員辟謠忙

　　以IBM公司為首的芯片制造技術(shù)聯(lián)盟，即GlobalFoundries，三星等公司組成的團(tuán)體最近駁斥了有關(guān)該聯(lián)盟在開發(fā)high-k+金屬柵極(HKMG)工藝時(shí)遇到困難的傳言。

　　風(fēng)波的起因在于近日Barclays的分析師Andrew Lu的一份報(bào)告，這份報(bào)告指出：“HKMG技術(shù)的目的在于減小柵極尺寸變小時(shí)的柵漏電量。”文章指出，在如何實(shí)現(xiàn)HKMG技術(shù)方面，業(yè)界分為兩大流派，其一是Intel，臺(tái)積電為首的Gate-last派，Gate last工藝將生成金屬柵極的工步放在漏源極高溫退火工步之后。Intel已經(jīng)在其45nm制程上啟用了這種工藝，目前的32nm則已經(jīng)開始采用第二代HKMG技術(shù)。不過臺(tái)積電則還沒有采用HKMG工藝的產(chǎn)品上市。

　　相比之下，以IBM公司為首的芯片制造技術(shù)聯(lián)盟則固守Gate-first工藝，這種工藝堅(jiān)持采用常規(guī)方法，即柵極生成工步放在漏源極高溫退火工步之前。不過目前為止該技術(shù)聯(lián)盟仍未有HKMG產(chǎn)品大量上市。不過AMD計(jì)劃于明年上半年推出采用Gate-first工藝制作的HKMG產(chǎn)品，AMD的處理器目前由GlobalFoundries代工。

　　不過這份報(bào)告同時(shí)宣稱：“Gate-first陣營最近在開發(fā)HKMG工藝過程中似乎遇到了一些問題。由于Gate-first工藝中金屬柵極需經(jīng)受高溫工步，因此這種工藝對(duì)柵極材料的熱穩(wěn)定性有較高要求，很容易出現(xiàn)管子門限電壓增大的問題。”報(bào)告同時(shí)還稱：“我們認(rèn)為臺(tái)積電在28nm HKMG工藝節(jié)點(diǎn)將取得領(lǐng)先。”

　　有關(guān)Gate-first與Gate-last工藝的詳細(xì)差別，有興趣的讀者可閱讀這個(gè)鏈接。

　　不過，IBM技術(shù)聯(lián)盟的成員之一GlobalFoundries隨后很快對(duì)這份報(bào)告進(jìn)行了反駁。他們表示：“看來有些人似乎還沒有完全搞清楚Gate-first HKMG技術(shù)。由于我們是私有企業(yè)，因此我們一般不和像Barclay這樣的公司有過多的接觸，所以這類公司一般無法從我們這里得到有關(guān)新技術(shù)的最新動(dòng)向。實(shí)際上，我們?cè)?2nm HKMG工藝上的進(jìn)展相當(dāng)順利，有關(guān)產(chǎn)品的門限電壓值也沒有如這份報(bào)告所說的與Gate-last有很大的差異。我們今年晚些時(shí)候會(huì)開始在Fab1工廠試產(chǎn)有關(guān)的產(chǎn)品。”大有斥責(zé)對(duì)方“不懂不要亂噴”的意味。

　　三星電子也辟謠稱：“如果大家都還記得的話，我們?cè)缭诮衲?月份便宣布了我們的32nm低功耗HKMG工藝已經(jīng)通過了全面驗(yàn)證，驗(yàn)證的過程包括1000小時(shí)的高溫耐久測試，經(jīng)過測試后我們的產(chǎn)品沒有發(fā)現(xiàn)任何問題。”

　　這場風(fēng)波中的雙方究竟孰對(duì)孰錯(cuò)，看來只有留待實(shí)際上市產(chǎn)品的性能來證明了。