三星、東芝制程競賽不止

　　NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)制程競賽拼得火熱，在產(chǎn)出持續(xù)大幅增加下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達(dá)5~7%，低容量芯片價(jià)格則是幾乎持平，市場預(yù)期日前平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī) (Smart Phone)都內(nèi)建高容量的NAND Flash存儲(chǔ)器，在年底圣誕節(jié)最后一波促銷熱潮之下，有機(jī)會(huì)提升NAND Flash市場的需求，彌補(bǔ)2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣相不佳的缺憾。

　　三星和東芝2大NAND Flash供應(yīng)商市占率都超過30%，由于市占率接近，因此制程競賽和產(chǎn)能擴(kuò)充都火拼的相當(dāng)激烈，在2010年32納米制程量產(chǎn)后，接著都要轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程世代，持續(xù)降低成本，以抵抗2010年跌跌不休的NAND Flash價(jià)格。

　　下游客戶透露，目前NAND Flash價(jià)格已相當(dāng)接近上游制造廠的成本區(qū)，因此各廠再殺低的意愿也不高，因?yàn)橐徊恍⌒目赡苡窒萑胩潛p的窘境，這是許多存儲(chǔ)器大廠所不樂見的情況，也因此，有些NAND Flash大廠已開始放慢增產(chǎn)的速度，免得接下來進(jìn)入傳統(tǒng)淡季后，產(chǎn)出增加又造成價(jià)格續(xù)跌的負(fù)擔(dān)。

　　以10月上旬合約價(jià)來看，高容量64Gb芯片跌幅最深，高達(dá)5~7%，平均成交價(jià)約10美元，部分低價(jià)交易已來到8美元水平;32Gb容量芯片則小幅下跌1~2%;而在低容量芯片方面，包括8Gb和16Gb，合約價(jià)格幾乎是持平。

　　下游業(yè)者認(rèn)為，2010年的NAND Flash市場都是靠平板計(jì)算機(jī)、智能型手機(jī)等內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器撐起一片天，尤其平板計(jì)算機(jī)的熱潮仍在，預(yù)計(jì)在2010年耶誕假期之前，會(huì)有一波智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)的需求加溫，屆時(shí)可帶動(dòng)NAND Flash補(bǔ)貨熱潮竄出。

　　由于目前NAND Flash價(jià)格接近上游大廠成本線，加上快閃記憶卡、隨身碟都賣相不佳，縱使有平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)應(yīng)用的加持，在進(jìn)入12月傳統(tǒng)淡季后，這些題材都會(huì)淡化掉，因此NAND Flash大廠也會(huì)擔(dān)心產(chǎn)業(yè)供需嚴(yán)重失衡，已開始在考慮放緩新產(chǎn)能的投片速度，此舉有助于產(chǎn)業(yè)供需導(dǎo)向平衡。

　　三星和東芝2011年都會(huì)進(jìn)入20納米制程世代，且增加X3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片產(chǎn)出量，預(yù)計(jì)在制程競賽上是不會(huì)松懈，尤其又有美光(Micron)和英特爾(Intel)陣營技術(shù)跑在前面，三星和東芝或許會(huì)放緩新產(chǎn)能的投片速度，但制程演進(jìn)腳步是不會(huì)休息的。