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          海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

          —— 此20納米制程快閃存儲(chǔ)器應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)等裝置
          作者: 時(shí)間:2010-10-20 來源:DigiTimes 收藏

            韓國半導(dǎo)體廠(Hynix)計(jì)劃2011年中以制程量產(chǎn)NAND Flash。此制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置,相較26納米存儲(chǔ)器,晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/113683.htm

            社長權(quán)五哲表示,自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當(dāng)順利。2011年中計(jì)劃量產(chǎn)制程產(chǎn)品。持續(xù)引領(lǐng)產(chǎn)品制程微縮趨勢(shì),然而NAND Flash產(chǎn)品技術(shù)方面在過去1、2年落后其它競爭業(yè)者,但開始量產(chǎn)26納米NAND Flash之后,相信技術(shù)方面與其它先驅(qū)企業(yè)間的差距已大幅縮減。

            海力士在30納米制程N(yùn)AND Flash開發(fā)及量產(chǎn)上雖然較其它競爭公司晚了近6個(gè)月,但推出26納米產(chǎn)品后則將差距縮減至1季。外界也期待海力士是否能與其它競爭公司在相近的時(shí)期中推出20納米產(chǎn)品。

            海力士2010年第2季末32納米以下NAND Flash產(chǎn)品比重約占整體產(chǎn)品30%,8月量產(chǎn)26納米產(chǎn)品后,第3季末產(chǎn)品比重已超越50%。第4季則將可望達(dá)到70%。

            海力士2007年NAND Flash產(chǎn)品占有率約19%,其后市場萎縮,接連關(guān)閉NAND Flash主要產(chǎn)線8寸廠,2010年第1季時(shí)市占率已下滑至個(gè)位數(shù)。

            以 12寸廠為基準(zhǔn),三星電子(Samsung Electronics)每月產(chǎn)量30萬片、日廠東芝(Toshiba)每月產(chǎn)量24萬片,海力士目前每月產(chǎn)量僅7萬片。海力士計(jì)劃年底前將產(chǎn)能擴(kuò)大至8 萬片,但權(quán)五哲對(duì)于擴(kuò)大NAND Flash投資方面則慎重表示,將會(huì)綜合考量市場條件和競爭力等因素后,再進(jìn)行投資。2011年投資金額目前尚未底定。

            海力士2010年包含將生產(chǎn)設(shè)備轉(zhuǎn)換為NAND生產(chǎn)設(shè)備等,在NAND Flash領(lǐng)域約投資1兆韓元(約8.96億美元)。



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