三星否認(rèn)將與東芝英特爾共開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，針對(duì)日前日本經(jīng)濟(jì)新聞發(fā)布的全球性半導(dǎo)體3大龍頭三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)將共同研發(fā)次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)等相關(guān)新聞內(nèi)容，三星方面已鄭重否認(rèn)。

　　日本經(jīng)濟(jì)新聞10月29日?qǐng)?bào)導(dǎo)三星、東芝和英特爾等將設(shè)立國(guó)際性研究組織，至2016年共同研究開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體線幅縮減至10奈米的制程技術(shù)。報(bào)導(dǎo)中指出，該企劃是由東芝主導(dǎo)，并由參與的日本業(yè)者出資100億日?qǐng)A(約1.2億美元)進(jìn)行，其中日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省也將資助50億日?qǐng)A補(bǔ)助金。然而三星方面對(duì)該相關(guān)報(bào)導(dǎo)已慎重否認(rèn)，并謹(jǐn)慎防范此舉被擴(kuò)大解釋的可能性。

　　三星相關(guān)人員表示，相信半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)者皆將積極研究開(kāi)發(fā)次世代微細(xì)制程，然三星未曾公開(kāi)表示將與日本方面共同開(kāi)發(fā)相關(guān)設(shè)備及材料。報(bào)導(dǎo)內(nèi)容看起來(lái)是日方的相關(guān)計(jì)劃，但三星方面至2016年為止并無(wú)特定計(jì)劃及相關(guān)發(fā)表內(nèi)容。