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          2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡

          —— 臺(tái)廠前景有隱憂
          作者: 時(shí)間:2010-11-16 來源:中國IC網(wǎng) 收藏

            2010年對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,可說是值得紀(jì)念的一年,拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示,2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達(dá)30%,創(chuàng)下10年以來新高紀(jì)錄。然而,受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響,2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%,移動(dòng)通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要?jiǎng)幽?。預(yù)估2011年移動(dòng)通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%,Mobile Flash的重要性,也將隨著智能手機(jī)等移動(dòng)通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/114574.htm

            至于晶圓代工和產(chǎn)業(yè),雖然2010年將各成長40%和80%,不過由于全球景氣緩慢復(fù)蘇,加上2010年基期已高,2011年晶圓代工業(yè)產(chǎn)值預(yù)估仍僅將小幅度增長5.5%;產(chǎn)業(yè)則因小幅供過于求,將繳出負(fù)成長20%的慘綠成績,臺(tái)廠處境愈顯艱困。拓墣建議,臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者由于貼近亞太等新興國家市場,除可積極發(fā)展高階產(chǎn)品外,亦可仔細(xì)觀察新興市場需求與動(dòng)態(tài),朝向開發(fā)兼具低成本及符合新興市場特性的產(chǎn)品(如3 SIM卡/4 SIM卡手機(jī)芯片)發(fā)展。

            DRAM慘淡經(jīng)營 臺(tái)廠前景有隱憂

            2010年DRAM整體營收成長80%,是有史以來最好的一年,韓廠因此獲利大增、排名上升,SAMSung僅1~9月總營收即達(dá)315.4億美元(28.39兆韓元),直逼Intel營收規(guī)模;但臺(tái)廠除力晶及瑞晶之外,南科、茂德及華亞科營收皆不如預(yù)期。

            拓墣預(yù)估,2011年全球DRAM整體營收將較2010年下滑20%,僅322億美元,ASP也恐降至1.2~1.4美元/Gb的低水準(zhǔn),只有等具有成本優(yōu)勢(shì)之國際大廠可能獲利,對(duì)于負(fù)債比仍高的臺(tái)廠來說,2011年又將是艱困的一年。例如無財(cái)團(tuán)支撐的茂德,除寄望Elpida或政府伸出援手外,恐別無他法。   Mobile DRAM臺(tái)灣布局要趁早

            另一方面,近年為滿足智能手機(jī)等移動(dòng)運(yùn)算裝置使用需求,使得Mobile DRAM這類具有獨(dú)特省電特性的內(nèi)存應(yīng)運(yùn)而生。另外,追求輕薄短小的手機(jī)也為內(nèi)存帶來新挑戰(zhàn),不僅耗電量要低,更要在有限空間內(nèi)達(dá)到最大容量,只有采用最先進(jìn)制程,才能符合所有的要求,故Mobile DRAM可望成為引領(lǐng)高端制程的新力量。

            拓墣指出,Mobile DRAM不僅具備省電特性,最終產(chǎn)品型態(tài)也不同于一般內(nèi)存模塊。Mobile DRAM通常采用裸晶配合 Flash進(jìn)行MCP封裝,或采用PoP

            (Package-ON-Package)封裝,再與Application Processor堆棧組裝。無論裸晶圓測試或MCP封裝都必須有完整的配套,臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)應(yīng)即早切入,發(fā)展出完整供應(yīng)鏈,才能在Mobile DRAM市場占一席之地。

             Flash移動(dòng)云端帶動(dòng)成長

            而行動(dòng)云端運(yùn)算新趨勢(shì)興起,智能手機(jī)等行動(dòng)裝置可實(shí)時(shí)將時(shí)、空、影、音等各項(xiàng)信息提供給資料中心(Data Center)中的云端服務(wù)器進(jìn)行運(yùn)算,以取得最佳結(jié)果。Mobile DRAM、NAND Flash在過程中將扮演更加重要角色,因此兩者占整體內(nèi)存的比重也將逐漸增加。

            雖然NAND Flash需求量大,但由于各大NAND Flash廠紛紛透過擴(kuò)產(chǎn)、制程微縮及采用部份TLC顆粒等三種方式來搶攻市占率,預(yù)估2011年將有微幅供過于求的狀況,但價(jià)格可望維持一定水準(zhǔn)。

            在SSD部分,拓墣預(yù)估2011年開始采用2xnm MLC顆粒單位價(jià)格將降至與目前Server級(jí)硬盤(1美元/GB)相近水準(zhǔn),再配合先進(jìn)ECC、Wear Leveling等技術(shù)延長使用壽命至服務(wù)器等級(jí),可望大幅度提高SSD在服務(wù)器市場使用率。但由于SSD與PC/NB用硬盤仍存在相當(dāng)大的價(jià)格差異(SSD單位價(jià)格約1美元/GB,PC/NB用硬盤僅0.1美元/GB),所以SSD在NB中的運(yùn)用將仍將集中在1,500美元以上的中、高階機(jī)種。



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