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          半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)東光微電登陸中小板

          —— 發(fā)行價為16元,募集資金為4.32億元
          作者: 時間:2010-11-18 來源:東光微電 收藏

            我國的引領(lǐng)者18日登陸中小板,該股此次發(fā)行2700萬股,發(fā)行價為16元,募集資金為4.32億元,主要用于防護功率器件生產(chǎn)線項目、新型功率器件生產(chǎn)線技改項目和半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)線項目等三個項目。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/114679.htm

            發(fā)行結(jié)果顯示,該股網(wǎng)上中簽率為0.263%,創(chuàng)下近期新股中簽率新低,“在發(fā)行市盈率高達87.8倍的背景下,該股中簽率較低,此舉意味著更多資金青睞該股。”一位業(yè)內(nèi)資深分析人士對商報記者表示,“事實上,是我國功率器件領(lǐng)域的重要企業(yè),目前在A股上尚無完全可比的上市公司。”

            國內(nèi)領(lǐng)先的功率器件提供商

            是我國專業(yè)從事半導(dǎo)體器件、集成電路開發(fā)、設(shè)計、制造、銷售的專業(yè)廠商,是享受國家政策扶持的高新技術(shù)企業(yè),系國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件和集成電路行業(yè)中通訊用防護功率器件、VDMOS等細分領(lǐng)域市場的重點企業(yè)。憑借自主創(chuàng)新,東光微電已成為國內(nèi)功率型半導(dǎo)體分立器和集成電路生產(chǎn)的主要龍頭企業(yè)之一。

            東光微電的主要產(chǎn)品涵蓋四大系列:防護功率器件、VDMOS、可控硅和1300X,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、數(shù)字電視、民用電路、摩托車、電動工具、家用電器、節(jié)能燈、消費電子、汽車電子、設(shè)備和儀表等領(lǐng)域。公司在國內(nèi)通訊領(lǐng)域防護器件市場占有絕對優(yōu)勢,SA系列固體放電管市場占有率在80%以上。

            “東光微電不做代工,堅持做創(chuàng)新并以IDM模式運營,在多項產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)進口替代,如固體放電管、VDMOS等,這是該公司的技術(shù)與研發(fā)優(yōu)勢。”浙商證券分析師徐昊在其報告中指出,“該公司以IDM模式運營,并依靠公司設(shè)備的國產(chǎn)化來降低了產(chǎn)品的成本,這是東光微電的成本優(yōu)勢。”

            商報記者獲悉,東光微電自成立以來便秉承“立民族志氣,創(chuàng)東光品牌”的經(jīng)營理念,堅持走自主品牌路線,且該公司依靠東光這個牌子用老產(chǎn)品帶新產(chǎn)品,迅速打開新產(chǎn)品市場。

            海通證券分析師邱春城則指出,未來幾年,可控硅等器件將向高毛利的細分市場轉(zhuǎn)換,東光微電利潤將以較快速度增長。2007年至2009年,東光微電實現(xiàn)的凈利潤分別為2966萬元、1978萬元和2316萬元,其中2008年主要是受金融危機的影響,該公司與同行業(yè)上市公司業(yè)績均有所下滑。

            商報記者獲悉,東光微電在通訊類防護器件占據(jù)絕對優(yōu)勢后,未來增長在于寬帶通訊保護、交換機二級防護和民用防護領(lǐng)域。以寬帶通信防護器件為例,東光微電DP系列防護器件主要用于寬帶通信中語音分離板,語音分離器,xDSLmodem等領(lǐng)域。據(jù)估計,這部分市場份額在每年10億元左右。

            值得一提的是,東光微電報告期內(nèi)并沒有對公司銷售貢獻超過10%的單個客戶,可見該公司并不存在對特定客戶過分依賴的問題,而該公司的上游主要是硅片、極片、化學(xué)試劑等原材料和電力、氧氣等能源供應(yīng)商,這些原料基本上均在國內(nèi)采購,而且報告期內(nèi)公司對單一供應(yīng)商的采購比例均不超過25%,可見東光微電也不存在對特定供應(yīng)商過分依賴的情況。

            東光微電未來受益進口替代

            在功率器件中,MOSFET和IGBT是增速最快的兩大市場,2008年MOSFET的增速為10.9%,IGBT的增速為13.4%,MOSFET銷售237億元,占功率器件整體的28.8%;IGBT為38.2億元,占比達4.6%。

            外資廠商占據(jù)絕對主導(dǎo),替代進程剛剛開始。中國的VDMOS市場基本處于外資壟斷狀態(tài)。


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