三星計劃2011年下半推出20納米級制程DRAM

　　三星電子(Samsung Electronics) 2011年將致力于提升DRAM存儲器半導(dǎo)體制程技術(shù)水平，再拉大與其它競爭業(yè)者間差距。三星半導(dǎo)體事業(yè)部專務(wù)趙南成表示，2010年采用30納米級制程制造DRAM，2011年上半計劃采行20納米級制程推出產(chǎn)品。三星計劃每年提升DRAM制程技術(shù)，維護(hù)業(yè)界領(lǐng)先地位。

　　20納米后半制程并非采用極紫外線(EUV)這種次世代曝光方式，而是采用既有的浸潤方式制作。納米制程是將半導(dǎo)體電路線幅微縮至人類頭發(fā)4,000分之1粗細(xì)的制造工程。半導(dǎo)體制程越是微細(xì)，可以大幅縮減半導(dǎo)體大小，在單一晶圓(wafer)上生產(chǎn)的半導(dǎo)體數(shù)量可增加，或降低產(chǎn)品生產(chǎn)的費用。

　　三星計劃于2011年下半推出的20納米級制程DRAM產(chǎn)品，其量產(chǎn)性估計較30納米級產(chǎn)品提高約60%。三星2009年率先量產(chǎn)40納米級DRAM產(chǎn)品，接著2010年7月也領(lǐng)先業(yè)界首度投入30納米制程量產(chǎn)作業(yè)。海力士(Hynix)目前則是以40納米制程量產(chǎn)DRAM，并計劃2011年初將投入30納米制程產(chǎn)品量產(chǎn)。

　　日本爾必達(dá)(Elpida)和美國美光(Micron)等排名第3、4名的半導(dǎo)體廠目前主要以50納米級制程量產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，并正準(zhǔn)備轉(zhuǎn)換為40納米制程。以DRAM制程技術(shù)為基礎(chǔ)，三星2010年第3季在DRAM市場上首度將市占率拉抬至40%以上。

　　三星若能依照訂定的目標(biāo)，于2011年下半推出20納米級制程DRAM產(chǎn)品，無論是在韓國境內(nèi)或海外，與其它競爭公司的技術(shù)能力將有明顯差距，在DRAM市場上也將出現(xiàn)三星獨大的情況。