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          MEMS慣性傳感器優(yōu)勢解析

          —— THELMA制程和低成本封裝方法
          作者: 時間:2010-11-28 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            公司推出一系列慣性,極具誘惑力的價格配合卓越的產(chǎn)品性能,讓迅速擴大了在消費電子市場的份額。公司在技術(shù)特性上實現(xiàn)了兩全其美:更小尺寸、更低價格、更高性能、更多功能(技術(shù)推動)與更具創(chuàng)新力的設(shè)計方法(設(shè)計推動的創(chuàng)新) ,使最終的器件更適合消費電子市場的需求[1]。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/114996.htm

            這個戰(zhàn)略已經(jīng)取得巨大成功,因此而迅速崛起,成為世界最大的MEMS器件制造商。目前意法半導(dǎo)體的MEMS產(chǎn)品被世界知名的消費電子產(chǎn)品選用,如任天堂的Wii游戲機、蘋果的iPhone手機和iTouch播放器以及其它產(chǎn)品[2]。例如,任天堂的Wii游戲機的遙控器“魔棒”(圖1a)使用意法半導(dǎo)體的慣性檢測玩家的動作,如打網(wǎng)球、高爾夫球或其它游戲,使玩家能夠沉浸在游戲之中并參與屏幕上的人物運動。這個功能促使先進的計算機游戲取得巨大飛躍,從純粹的被動活動轉(zhuǎn)化為令人興奮的主動的游戲參與者。同樣地,蘋果的iPhone采用意法半導(dǎo)體的MEMS傳感器檢測手持通信設(shè)備相對于用戶視野的方向,然后相應(yīng)地調(diào)整屏幕的顯示方向(橫向或縱向),從而為用戶提供更多的使用靈活性和功能 (圖1b)。

            圖 1:這兩張圖片中的產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體的慣性傳感器技術(shù),在消費電子產(chǎn)品中為客戶提供全新的功能(來源:iSuppli市調(diào)公司)。

            意法半導(dǎo)體的MEMS慣性傳感器基于意法半導(dǎo)體的微致動器和加速計的厚外延層制程(THELMA),如圖2 [3]所示。THELMA是一個非集成化的MEMS制造程,比多晶硅表面微加工制程略復(fù)雜,但是擁有獨特的優(yōu)點,準許實現(xiàn)較厚的結(jié)構(gòu),這對電容式慣性傳感器極其有用。雖然THELMA制程用于實現(xiàn)電容式慣性傳感器,但是這項技術(shù)非常靈活,還可以用于制造加速計、陀螺儀和其它的MEMS器件。

            這個制程的第一個步驟是在晶圓上生成一層2.5μm厚的熱二氧化硅(圖2a)。第二步是用LPCVD沉積一個多晶硅層(多晶硅層1)。在這個多晶硅層上做版圖然后蝕刻,制成埋入式電連接結(jié)構(gòu),用于傳感器向外部傳遞電位和電容信號(圖2b)。根據(jù)器件的設(shè)計,這個多晶硅層還可用于制造薄多晶硅微加工器件的結(jié)構(gòu)層。然后,用PECVD沉積一層1.6μm厚的二氧化硅層。這個PEVCD氧化層與2.5μm厚的熱二氧化硅構(gòu)成一個4.1μm厚的復(fù)合氧化層,用作THELMA制程中的犧牲層。然后,在PECVD沉積氧化物層上做版圖和蝕刻,用作厚多晶硅器件的錨定區(qū),稍后制成錨定組件(圖 2c)。下一步,用外延沉積法沉積一層厚多晶硅 (圖2d)。這個層的厚度可以根據(jù)器件設(shè)計做相應(yīng)的調(diào)整,厚度范圍是15μm到50μm。通過沉積、版圖和蝕刻工藝,制作一個連接傳感器的金屬導(dǎo)電層(圖2e)。隨后,用深反應(yīng)離子蝕刻方法(DRIE)在厚多晶硅層上做圖和蝕刻,一直到底部的氧化層(圖2f)。DRIE方法準許在厚多晶硅層上制作縱橫比很大的結(jié)構(gòu)。最后用氫氟酸蒸汽去除犧牲層,釋放多晶硅結(jié)構(gòu)層(圖2f)。

            意法半導(dǎo)體率先投入量產(chǎn)的低成本封裝方法是意法半導(dǎo)體慣性傳感器的主要特色之一。如前文所述,MEMS器件的封裝很可能是產(chǎn)品制程中最昂貴的環(huán)節(jié)。意法半導(dǎo)體的封裝方法是使用一個玻璃粉低溫晶圓級鍵合工藝,把慣性傳感器封閉在兩顆晶圓之間的密閉空腔內(nèi),然后再使用一個格柵陣列(LGA)封裝平臺技術(shù)封裝芯片,意法半導(dǎo)體率先將這項封裝技術(shù)用于最后的器件封裝。在這個過程中,可以把單個的傳感器裸片放在半導(dǎo)體裸片的旁邊(并列結(jié)構(gòu))或把傳感器裸片和半導(dǎo)體裸片相互堆疊放置(堆疊封裝),如圖3所。

            在堆疊結(jié)構(gòu)中,先用膠合膜將傳感器裸片焊到一個表面積很大的基片上(圖4)。半導(dǎo)體裸片和MEMS裸片堆疊放置可使封裝變得很小(圖5)。使用絲焊方法連接兩顆裸片的電觸點,然后,再用注塑封裝技術(shù)封裝裸片。這種封裝方法可以在大面積的基片完成,因此成本相對較便宜。封裝應(yīng)力特別是粘接和注塑過程產(chǎn)生的應(yīng)力曾經(jīng)是這項封裝技術(shù)的一大挑戰(zhàn),意法半導(dǎo)體成功地解決了這個難題。圖6描述了意法半導(dǎo)體的超緊湊型線性加速計封裝的進化歷程,線性加速計廣泛用于消費電子產(chǎn)品。


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