半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資

　　2010年在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場(chǎng)上的份額競(jìng)爭(zhēng)再次變得激烈起來(lái)。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價(jià)格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢(shì)。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲(chǔ)器極限為目標(biāo)的新存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)也越來(lái)越活躍。

　　象征著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)界的設(shè)備投資出現(xiàn)恢復(fù)跡象的，是東芝開(kāi)工建設(shè)NAND閃存新工廠。東芝預(yù)定2009年春季開(kāi)工建設(shè)的“Fab5”延期很久之后，終于定于2010年7月開(kāi)始動(dòng)工。該工廠為東芝與美國(guó)晟碟(SanDisk)對(duì)半出資，最快將于2011年夏季投入使用。決定建設(shè)該工廠是因?yàn)?，隨著智能手機(jī)和平板終端等新應(yīng)用的出現(xiàn)，預(yù)計(jì)NAND閃存的需求將長(zhǎng)期大幅增長(zhǎng)。韓國(guó)三星電子及韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)等競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)也相繼進(jìn)行了NAND閃存的增產(chǎn)投資。

　　NAND閃存的微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)從2010年開(kāi)始進(jìn)入了2Xnm工藝。在2Xnm工藝閃存的量產(chǎn)中先行一步的是美國(guó)美光科技(Micron Technology)與英特爾的合資企業(yè)。盡管兩家公司涉足NAND閃存較晚，但通過(guò)果斷采取微細(xì)化戰(zhàn)略，目前已經(jīng)領(lǐng)先于其他公司。三星、海力士以及東芝與晟碟的合資企業(yè)緊隨其后，也開(kāi)始量產(chǎn)2Xnm工藝閃存，形成了四分天下的格局。NAND閃存在1Xnm左右工藝中即將達(dá)到微細(xì)化極限，各公司紛紛開(kāi)始加速開(kāi)發(fā)“后NAND”。東芝計(jì)劃在動(dòng)工建設(shè)的Fab5中，在第二期開(kāi)始量產(chǎn)后NAND。

　　2008～2009年，DRAM廠商全部出現(xiàn)大幅虧損，隨著供需平衡的改善，2010年上半年出現(xiàn)明顯改善。爾必達(dá)存儲(chǔ)器2010年4～6月的銷(xiāo)售額和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)均創(chuàng)下了單季度歷史最高記錄。在這種背景下，各公司開(kāi)始進(jìn)行增產(chǎn)。進(jìn)入2010年下半年后，價(jià)格隨之轉(zhuǎn)為下降，各廠商的出色業(yè)績(jī)開(kāi)始籠罩上一層陰影。

　　目前，DRAM廠商的主戰(zhàn)場(chǎng)是個(gè)人電腦，今后還將包括智能手機(jī)和平板終端。2010年是這一趨勢(shì)逐漸明確的一年。各廠商均推出了用于這些用途的低功耗DRAM產(chǎn)品。

　　DRAM的微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)在2010年進(jìn)入了3Xnm工藝。量產(chǎn)方面，三星與爾必達(dá)存儲(chǔ)器已領(lǐng)先于其他公司。針對(duì)2Xnm以下的微細(xì)化極限，DRAM廠商與NAND閃存廠商一樣、開(kāi)始致力于新存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。比如，爾必達(dá)存儲(chǔ)器聯(lián)手夏普、東京大學(xué)及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所，共同進(jìn)行Gbit級(jí)可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)的開(kāi)發(fā)。