華虹NEC隆重亮相2010 IC設計年會

　　“2010中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設計分會年會暨物聯(lián)網(wǎng)與IC設計高峰論壇”于2010年12月1～3日在無錫召開。本次年會的主題是“加大產(chǎn)業(yè)整合，培育國產(chǎn)品牌，推動產(chǎn)業(yè)更好更快發(fā)展”。

　　世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(“華虹NEC”)派出了由市場部、銷售部、設計服務部和技術研發(fā)部組成的強大陣容出席此次盛會。華虹NEC在會場設置展區(qū)，展示了一年來的最新技術成果，包括多種新型BCD、0.13/0.18微米SiGe等工藝平臺。這些新的工藝平臺將為LED照明、電源/電池管理以及無線射頻、物聯(lián)網(wǎng)等新興應用提供最佳代工解決方案。

　　華虹NEC技術研發(fā)部高級專家錢文生博士在“Foundry與工藝技術”的專題論壇上做了題為“在物聯(lián)網(wǎng)中大有作為的鍺硅BiCMOS技術”的精彩演講，博得了與會者的一致認可和好評。他介紹說，國家加快推進七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，這將給集成電路和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來巨大的發(fā)展機遇。目前公司正大力研發(fā)國際先進的0.13微米SiGe BiCMOS技術，并已取得重要階段性成果。今后將繼續(xù)開發(fā)性價比更高的射頻工藝技術平臺，為進一步做大做強我國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)做出更大貢獻。

　　公司銷售與市場副總裁高峰先生說：“IC設計年會為業(yè)界提供了一個很好的平臺，也讓我們與眾多國內(nèi)外同仁就最新技術進展、市場發(fā)展趨勢以及業(yè)務合作前景進行了充分探討和交流。華虹NEC將繼續(xù)專注嵌入式非揮發(fā)性存儲器、模擬/電源管理芯片、高壓、射頻以及功率器件等五大特色工藝平臺，一如既往地支持國內(nèi)設計產(chǎn)業(yè)發(fā)展，聚焦巨大的內(nèi)需與新興應用市場，實現(xiàn)設計與代工企業(yè)的共贏。”