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          IR推出30V DirectFET MOSFET芯片組
          
						
          —— 為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2010-12-14
				來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用 (如筆記本電腦) 而設(shè)計(jì)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/115464.htm

          　　IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數(shù)量達(dá)30%，大幅降低了整體系統(tǒng)成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，最大限度減少了傳導(dǎo)及開(kāi)關(guān)損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ，可以降低與體二極管導(dǎo)通和反向恢復(fù)相關(guān)的損耗。
          

          　　IR亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“IRF6708S2和IRF6728M芯片組能夠?yàn)樽⒅爻杀镜腄C-DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供高效率、且具有成本效益的解決方案，而DirectFET確保的卓越熱特性充分體現(xiàn)了一流的整體價(jià)值。”
          

          　　IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技術(shù)。這些新器件除了擁有低導(dǎo)通電阻和低電荷，也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。
          

          　　產(chǎn)品詳細(xì)數(shù)據(jù)及應(yīng)用說(shuō)明可瀏覽IR網(wǎng)頁(yè)www.irf.com。
          

          　　新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ，現(xiàn)已接受批量訂單。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            IR
                        MOSFET芯片組
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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