硅CMOS技術(shù)可擴(kuò)展到10nm以下

　　“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。

　　半導(dǎo)體制造技術(shù)國(guó)際會(huì)議“2010 IEEE InternatiONal Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”于2010年12月6日在美國(guó)舊金山開幕，韓國(guó)三星尖端技術(shù)研究所(SAMSung Advanced Institute of Technology，SAIT)所長(zhǎng)Kinam Kim在整場(chǎng)演講中率先上臺(tái)，充滿自信地發(fā)表了本文開篇那番話。

　　在DRAM和NAND閃存等方面，目前正在探討伴隨制造技術(shù)微細(xì)化而出現(xiàn)的多種技術(shù)課題。Kim呼吁與會(huì)人士必須勇敢面對(duì)這些課題，并在今后通過導(dǎo)入多種新技術(shù)來加以克服。

　　在不少人認(rèn)為難以微細(xì)化至20nm以下工藝的DRAM方面，Kim表示2010～2015年，在4F2構(gòu)造存儲(chǔ)器單元、硅貫通電極(TSV)以及DRAM芯片上集成光輸入輸出電路等將取得進(jìn)展。并預(yù)計(jì)接下來在2020年以后，通過自旋存儲(chǔ)器(Spin-Based Memory)技術(shù)的實(shí)用化，大容量隨機(jī)存儲(chǔ)器將繼續(xù)取得進(jìn)步。

　　在有人認(rèn)為現(xiàn)有浮柵構(gòu)造同樣會(huì)在20nm工藝前后出現(xiàn)微細(xì)化極限的NAND閃存方面，Kim介紹了旨在打破極限的技術(shù)開發(fā)工作。首先，要想實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于20nm以下工藝的高集成化，就必須導(dǎo)入三維單元積層技術(shù)。Kim表示，由此“可以利用舊幾代的制造技術(shù)，實(shí)現(xiàn)與普通二維單元微細(xì)化至10nm以下工藝范圍時(shí)相當(dāng)?shù)母呒啥?rdquo;。

　　Kim指出，2015年以后作為三維NAND閃存的后續(xù)產(chǎn)品，主角將有可能轉(zhuǎn)為采用氧化物材料等的新型非易失性存儲(chǔ)器。Kim高度評(píng)價(jià)了ReRAM的前景，認(rèn)為“后NAND閃存的最有力候補(bǔ)是ReRAM。另外，在新一代通用存儲(chǔ)器(Universal Mmemory)中最有希望的估計(jì)還是ReRAM”。