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          硅CMOS技術(shù)可擴(kuò)展到10nm以下

          —— 半導(dǎo)體制造技術(shù)國(guó)際會(huì)議三星展望未來(lái)
          作者: 時(shí)間:2010-12-14 來(lái)源:中國(guó)IC網(wǎng) 收藏

            “硅技術(shù)完全可以擴(kuò)展至以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝,硅技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/115473.htm

            半導(dǎo)體制造技術(shù)國(guó)際會(huì)議“2010 IEEE InternatiONal Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”于2010年12月6日在美國(guó)舊金山開(kāi)幕,韓國(guó)三星尖端技術(shù)研究所(SAMSung Advanced Institute of Technology,SAIT)所長(zhǎng)Kinam Kim在整場(chǎng)演講中率先上臺(tái),充滿自信地發(fā)表了本文開(kāi)篇那番話。

            在DRAM和NAND閃存等方面,目前正在探討伴隨制造技術(shù)微細(xì)化而出現(xiàn)的多種技術(shù)課題。Kim呼吁與會(huì)人士必須勇敢面對(duì)這些課題,并在今后通過(guò)導(dǎo)入多種新技術(shù)來(lái)加以克服。

            在不少人認(rèn)為難以微細(xì)化至20nm以下工藝的DRAM方面,Kim表示2010~2015年,在4F2構(gòu)造存儲(chǔ)器單元、硅貫通電極(TSV)以及DRAM芯片上集成光輸入輸出電路等將取得進(jìn)展。并預(yù)計(jì)接下來(lái)在2020年以后,通過(guò)自旋存儲(chǔ)器(Spin-Based Memory)技術(shù)的實(shí)用化,大容量隨機(jī)存儲(chǔ)器將繼續(xù)取得進(jìn)步。

            在有人認(rèn)為現(xiàn)有浮柵構(gòu)造同樣會(huì)在20nm工藝前后出現(xiàn)微細(xì)化極限的NAND閃存方面,Kim介紹了旨在打破極限的技術(shù)開(kāi)發(fā)工作。首先,要想實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于20nm以下工藝的高集成化,就必須導(dǎo)入三維單元積層技術(shù)。Kim表示,由此“可以利用舊幾代的制造技術(shù),實(shí)現(xiàn)與普通二維單元微細(xì)化至以下工藝范圍時(shí)相當(dāng)?shù)母呒啥?rdquo;。

            Kim指出,2015年以后作為三維NAND閃存的后續(xù)產(chǎn)品,主角將有可能轉(zhuǎn)為采用氧化物材料等的新型非易失性存儲(chǔ)器。Kim高度評(píng)價(jià)了ReRAM的前景,認(rèn)為“后NAND閃存的最有力候補(bǔ)是ReRAM。另外,在新一代通用存儲(chǔ)器(Universal Mmemory)中最有希望的估計(jì)還是ReRAM”。



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