三星搶晶圓代工

　　MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼副主任洪春暉22日指出，雖然明年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長力道趨緩，但是晶圓代工部份受惠于IDM業(yè)者持續(xù)增加代工釋單比重，短期內(nèi)仍具有相當(dāng)高的成長動能。但未來隨著三星電子及全球晶圓(GF)等IDM廠積極搶占晶圓代工市場，尤以三星電子布局整合記憶體的高度整合晶片，具制程優(yōu)勢，長期來看，對于國內(nèi)晶圓代工業(yè)者臺積電、聯(lián)電仍是重要的潛在威脅。

　　洪春輝指出，除了英特爾之外，其他IDM廠皆減少先進(jìn)制程投資，逐步走向輕晶圓廠模式，而成熟制程產(chǎn)能多不打算重開，反倒外包給晶圓代工廠，生產(chǎn)愈來愈仰賴代工業(yè)者，預(yù)估未來IDM廠自行生產(chǎn)將會著重于Sensor、3DIC等高度整合型產(chǎn)品。

　　由于看到IDM廠委外代工將成長的趨勢，各晶圓代工龍頭業(yè)者隨之紛紛擴(kuò)增舊廠，再加上臺積電新建Fab15廠、全球晶圓(GF)新建紐約廠，擴(kuò)產(chǎn)幅度均不小，以及中芯可望完成12寸廠并進(jìn)行投產(chǎn)等計畫影響，全球晶圓代工產(chǎn)能將持續(xù)成長至2012年，洪春暉評估，晶圓代工短期內(nèi)不會出現(xiàn)產(chǎn)能供給過剩問題，但長期供需問題仍值得關(guān)注。

　　而全球晶圓代工領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者亦紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程，如臺積電明、后年28及20納米制程發(fā)展可望有成果，聯(lián)電明年底28奈米制程發(fā)展亦將有所斬獲，全球晶圓亦積極布局28及22奈米制程，三星電子今年底早已經(jīng)與臺積電幾乎同步切入28奈米制程發(fā)展，將壓縮其他業(yè)者發(fā)展空間。而未來晶圓代工產(chǎn)業(yè)受到全球晶圓及三星電子等競爭者積極搶入威脅，在先進(jìn)制程及高度整合技術(shù)的發(fā)展上，皆可能影響整體現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)的版圖。

　　洪春暉表示，三星電子等IDM者積極搶進(jìn)晶圓代工領(lǐng)域，雖搶占部分具指標(biāo)性客戶(如蘋果iPad晶片即于三星投片)，但受限于原有經(jīng)營模式，再加上臺積電與國際客戶合作穩(wěn)固、掌握度亦高，短期內(nèi)對國內(nèi)代工業(yè)者不會有太大影響。

　　但長期來看，洪春暉提醒，由于三星電子具有記憶體生產(chǎn)優(yōu)勢，亦積極推出整合記憶體與晶片的產(chǎn)品，布局高度整合型晶片市場，在未來手機(jī)對高度整合型晶片需求持續(xù)增加下，三星電子生產(chǎn)線較臺積電相對廣，恐蠶食臺積電及聯(lián)電部分客戶，長期來看會是個重要的潛在威脅。