半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測(cè)

　　2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢(shì)，然2011年將會(huì)回到上低下高趨勢(shì)。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價(jià)格2010年上半至年中為止維持上升走勢(shì)，并于5月達(dá)到頂點(diǎn)2.72美元。然由于電腦等成品銷(xiāo)售情況不甚理想，使DRAM價(jià)格走向跌勢(shì)，并于2010年12月下半跌破1美元，僅達(dá)0.97美元。

　　DRAM價(jià)格自2010年6月開(kāi)始出現(xiàn)跌幅，其價(jià)格跌勢(shì)預(yù)估將持續(xù)至2011年第1季，第2季則可望由谷底回升。據(jù)記憶體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，主要DRAM價(jià)格2011年上半仍將維持在1美元以下。因此2011年上半海內(nèi)外DRAM制造商仍無(wú)法避免營(yíng)收不佳的情況。

　　然而據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等南韓DRAM制造商，將以領(lǐng)先的制程技術(shù)繼續(xù)強(qiáng)化市場(chǎng)支配能力。

　　南韓NH投資證券公司研究員表示，DRAM價(jià)格下跌雖然對(duì)三星和海力士短期的營(yíng)收造成影響，但就中長(zhǎng)期來(lái)說(shuō)，與其他競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)相比，韓廠擁有較先進(jìn)的制程技術(shù)，在價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力上也較占優(yōu)勢(shì)。

　　50納米制程生產(chǎn)的DRAM至少需以1.2美元金額進(jìn)行交易才能產(chǎn)生利潤(rùn)，然40納米制程產(chǎn)品交易價(jià)維持0.8~0.9美元便有利潤(rùn)產(chǎn)生。三星和海力士 40納米制程DRAM生?ㄓ餼囿?0%，營(yíng)收雖受影響，但不至于出現(xiàn)赤字。而爾必達(dá)(Elpida)、美光(Micron)、南亞等競(jìng)爭(zhēng)廠目前仍以50納米制程為主。

　　主要DRAM價(jià)格2011年上半仍將維持1美元以下價(jià)格，許多DRAM制造商上半年將面臨赤字危機(jī)。然而南韓證券公司預(yù)估，三星和海力士2011年第1季仍各可創(chuàng)下1兆韓元(約8.92億美元)和1,000億韓元(約8,920萬(wàn)美元=瑰蝺~利益，形成對(duì)比。

　　尤其DRAM價(jià)格下跌，財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)受影響的爾必達(dá)、美光及南亞等企業(yè)將可能正式以購(gòu)并(M&A)的方式維持正常運(yùn)作。爾必達(dá)2010年12月積極推動(dòng)與臺(tái)3間DRAM制造商進(jìn)行合并。

　　爾必達(dá)計(jì)劃與力晶、茂德、瑞晶等廠進(jìn)行統(tǒng)合，以挽回受到DRAM激烈競(jìng)爭(zhēng)及價(jià)格下跌對(duì)營(yíng)收所產(chǎn)生的影響。美光2011年也可能與臺(tái)廠進(jìn)行購(gòu)并或策略合作。

　　南韓業(yè)者表示，DRAM制造商爾必達(dá)、美光、南亞等將會(huì)正式進(jìn)行合縱連橫，而就中長(zhǎng)期來(lái)說(shuō)，三星和海力士等業(yè)者將能獲得最終生存權(quán)。

　　另一方面，受到東芝(Tochiba)停電效應(yīng)以及智慧型手機(jī)(Smartphone)和平板電腦(TabletPC)需求增加等影響，2011年快閃記憶體(NANDFlash)業(yè)者也將持續(xù)受惠。