SanDisk聯(lián)手東芝進(jìn)軍10nm級(jí)別閃存工藝
2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級(jí)別,2011年則將成為20nm級(jí)別普及的開端,同時(shí)10nm級(jí)別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開始。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/116599.htmSanDisk近日就表示:“2011年我們的首要營(yíng)業(yè)費(fèi)用投資就是研發(fā),包括Fab 5晶圓廠上線投產(chǎn),以及(10nm級(jí)別)和更先進(jìn)NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資。”
SanDisk指出,得益于移動(dòng)設(shè)備的全球浪潮,閃存的市場(chǎng)需求正在迅猛增加,因此SanDisk將與東芝合作,加速2bpc(每單元兩個(gè)比特)、3bpc等規(guī)格MLC NAND閃存芯片的生產(chǎn)。
截至2011年1月2日,SanDisk第四季度收入13.3億美元,同比增長(zhǎng)7%,環(huán)比增長(zhǎng)8%,去年總收入48.3億美元,相比2009年的 35.7億美元大幅增長(zhǎng)了35%;第四季度GAAP審計(jì)凈利潤(rùn)4.85億美元(每股收益2.01億美元),同比增長(zhǎng)43%,環(huán)比增長(zhǎng)51%,全年凈利潤(rùn) 13.0億美元,同比增長(zhǎng)31%。
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