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閃存 文章 進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)
消息稱三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)
- IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 三星電子
為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 泛林集團(tuán)
通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開(kāi)工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對(duì)比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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Omdia：2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍
- IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對(duì)比，Omdia 認(rèn)為 2023 年 QLC 閃存市場(chǎng)份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說(shuō)，未來(lái)三年 QLC 在 NAND 市場(chǎng)整體中的占比將在今年的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升 1.24 倍，達(dá) 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場(chǎng)滲透主要
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美光：預(yù)計(jì)臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個(gè)位數(shù)百分比影響
- IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國(guó)證券交易委員會(huì) SEC 遞交 8-K 重大事項(xiàng)公告，預(yù)計(jì)本月初的臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)其二季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成“中等個(gè)位數(shù)百分比”的影響。美光在臺(tái)灣地區(qū)設(shè)有桃園和臺(tái)中兩座生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報(bào)告，地震導(dǎo)致當(dāng)時(shí)桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報(bào)廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無(wú)恙，設(shè)施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長(zhǎng)期 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)能力也沒(méi)有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí)，美光尚未在震后全面恢復(fù) DRAM 生產(chǎn)，但得
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2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%：三星增長(zhǎng) 44.8% 居首位
- IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布市場(chǎng)研究報(bào)告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲，預(yù)估環(huán)比會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)兩成。三星第四季營(yíng)收以三星（Samsung）增長(zhǎng)幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機(jī)需求均大幅增長(zhǎng)。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷售價(jià)格環(huán)比增加 12%，帶動(dòng)營(yíng)收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團(tuán)SK 集團(tuán)（SK Group）受惠于價(jià)
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 存儲(chǔ) 市場(chǎng)分析
西部數(shù)據(jù)發(fā)布公告：今年年底前完成閃存和硬盤(pán)業(yè)務(wù)分拆
- IT之家 3 月 6 日消息，西部數(shù)據(jù)近日發(fā)布公告，宣布分拆硬盤(pán)和閃存業(yè)務(wù)上取得了重大進(jìn)展，并會(huì)按期在 2024 年年底前完成分拆，并公布了分拆之后亮相業(yè)務(wù)的主要負(fù)責(zé)人。圖源：西部數(shù)據(jù)IT之家于 2023 年 10 月報(bào)道，西部數(shù)據(jù)由于鎧俠合并未果，宣布分拆為兩家獨(dú)立上市公司，專注于硬盤(pán)和閃存市場(chǎng)。西部數(shù)據(jù)表示分拆兩項(xiàng)業(yè)務(wù)，能更好地執(zhí)行創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，利用獨(dú)特的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)，擴(kuò)大各自的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位，并通過(guò)不同的資本結(jié)構(gòu)更有效地運(yùn)營(yíng)。西部數(shù)據(jù)在新聞稿中表示，本次拆分已取得重大進(jìn)展，包括全球法律實(shí)體
- 關(guān)鍵字： 西部數(shù)據(jù) 硬盤(pán) 閃存
日本東芝正式退市
- 據(jù)日媒報(bào)道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結(jié)束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國(guó)內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財(cái)團(tuán)正式開(kāi)始向東芝發(fā)起總額約2萬(wàn)億日元的要約收購(gòu)。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱，該財(cái)團(tuán)將從普通股東收購(gòu)剩余股份，將東芝收購(gòu)為全資子公司。公開(kāi)資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領(lǐng)域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導(dǎo)體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
- 關(guān)鍵字： 東芝 家電 NAND 閃存 退市
集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 18%
- IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)集邦咨詢公布的最新報(bào)告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)模合計(jì)營(yíng)收 134.8 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫，買(mǎi)方重啟備貨動(dòng)能，讓各原廠營(yíng)收皆有所增長(zhǎng)。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠漲價(jià)態(tài)度明確，預(yù)估第四季 DRAM 合約價(jià)上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過(guò)往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長(zhǎng)幅度有限。三家主流廠商情況細(xì)分到各家品牌，三大原廠營(yíng)收皆有所成長(zhǎng)
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三季度全球 DRAM 銷售額達(dá) 132.4 億美元，連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)
- 11 月 30 日消息，據(jù)外媒報(bào)道，從去年下半年開(kāi)始，受消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲(chǔ)芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下，DRAM 這一類存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格已在回升，銷售額環(huán)比也在增加。研究機(jī)構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達(dá)到了 132.4 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長(zhǎng)，也就意味著主要廠商的銷售額，環(huán)
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 三星 海力士
存儲(chǔ)市場(chǎng)前瞻：DDR5 需求顯著增長(zhǎng)、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代
- IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場(chǎng)的持續(xù)強(qiáng)勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估，2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預(yù)計(jì)上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計(jì)上漲約 10-15%，上漲趨勢(shì)會(huì)持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM：根據(jù)國(guó)外科技媒體 WccFtech 報(bào)道，2024 年手機(jī)的一個(gè)明顯變化是
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OptiFlash存儲(chǔ)器技術(shù)如何利用外部閃存應(yīng)對(duì)軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)
- 在寫(xiě)字樓、工廠車間和汽車中，軟件正逐步取代機(jī)械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機(jī)械鎖后，用戶可以通過(guò)手機(jī)應(yīng)用程序?qū)χ悄苕i進(jìn)行控制，同時(shí)制造商可通過(guò)軟件更新、改進(jìn)或校正智能鎖的功能。在這種趨勢(shì)下，人們對(duì)存儲(chǔ)器的要求不斷提高，這一挑戰(zhàn)不容忽視。在常嵌入閃存存儲(chǔ)器的微控制器 (MCU) 中，存儲(chǔ)器的容量也在快速增加。除了宏觀趨勢(shì)外，MCU 中的一些特定發(fā)展趨勢(shì)（包括更高的計(jì)算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧）也決定了需要更大容量的閃存。當(dāng)出現(xiàn)無(wú)線更新的需求時(shí)，由于原始圖像和備份圖像都需要存儲(chǔ)，上述的這
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越便宜越?jīng)]人買(mǎi)！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買(mǎi)漲不買(mǎi)跌
- 11月22日消息，據(jù)TrendForce最新報(bào)告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報(bào)告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應(yīng)情況已經(jīng)極大緩解，渠道SSD市場(chǎng)恢復(fù)正常供需狀態(tài)。隨著個(gè)人電腦和計(jì)算機(jī)硬件市場(chǎng)的萎縮，固態(tài)硬盤(pán)的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買(mǎi)漲不買(mǎi)跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買(mǎi)單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應(yīng)商積極減產(chǎn)，導(dǎo)致整個(gè)行業(yè)價(jià)格上漲，市場(chǎng)情緒在2022年第三季度末"迅速
- 關(guān)鍵字： SSD 固態(tài)硬盤(pán) 閃存 NAND
傳三星計(jì)劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數(shù)、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)處于緩速?gòu)?fù)蘇階段，大廠們正在追求存儲(chǔ)先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來(lái)看，NAND Flash的堆疊競(jìng)賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層）
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
閃存電路
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