全球NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽3缺1

　　存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場(chǎng)認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營(yíng)中，唯一沒(méi)有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)溃?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/海力士">海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來(lái)若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!

　　海力士這幾年在NAND Flash領(lǐng)域影響力大不如前，主要是制程進(jìn)度落后，又遇上勁敵美光(Micron)和英特爾(Intel)合資的IM Flash陣營(yíng)憑借著34納米和25納米制程陸續(xù)搶下頭香，海力士和IM Flash陣營(yíng)勢(shì)力呈現(xiàn)一消一長(zhǎng)，海力士遂把重心都放在DRAM業(yè)務(wù)上，以鞏固全球二哥的地位。

　　海力士在2010年下半遇上DRAM價(jià)格崩盤，也開(kāi)始轉(zhuǎn)移重心轉(zhuǎn)到非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品上，包括2010年行動(dòng)裝置、繪圖存儲(chǔ)器(GDDR)、服務(wù)器用DRAM等比重已達(dá)整體DRAM營(yíng)收60%以上，但市場(chǎng)更關(guān)心是海力士2011對(duì)于NAND Flash事業(yè)的規(guī)劃。

　　存儲(chǔ)器業(yè)者指出，目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、美光3大陣營(yíng)都宣布擴(kuò)建12寸晶圓廠計(jì)劃，預(yù)計(jì)產(chǎn)能會(huì)在2011年下半開(kāi)始大量產(chǎn)出，目前只剩下海力士沒(méi)有宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，但產(chǎn)能多寡將攸關(guān)海力士是否可搶回全球三哥寶座，市場(chǎng)分析師已開(kāi)始呼吁海力士不應(yīng)該錯(cuò)過(guò)這一波平板計(jì)算機(jī)崛起對(duì)于NAND Flash需求增加的趨勢(shì)。

　　海力士目前NAND Flash生產(chǎn)基地包括8寸晶圓廠M8和12寸晶圓廠M11，若全換算成12寸晶圓，單月產(chǎn)能約10萬(wàn)片水平，其中M11產(chǎn)能還有擴(kuò)充的空間，而最令人關(guān)注的，是旗下還有一座蓋好但尚未移入機(jī)器設(shè)備的12寸晶圓廠M12，未來(lái)是否會(huì)投入NAND Flash生產(chǎn)行列，值得進(jìn)一步觀察。

　　以海力士第4季NAND Flash表現(xiàn)而言，出貨量增加32%，但平均售價(jià)(ASP)下跌12%;2010年底30納米和20納米制程的產(chǎn)品比重已達(dá)85%，隨著三星、美光、東芝2011年都會(huì)以20納米制程為主，估計(jì)海力士2011年也會(huì)提升20納米的比重。

　　美光在34納米和25納米制程接連領(lǐng)先對(duì)手之后，擠下海力士成為全球三哥，但與海力士之間的市占率在伯仲之間，兩者都約在9~10%之間，未來(lái)除了制程技術(shù)帶動(dòng)的產(chǎn)出增加之外，新12寸產(chǎn)能的加入也將是關(guān)鍵。

　　以海力士2010年第4季財(cái)報(bào)來(lái)看，營(yíng)收為2.75兆韓元(約24.65億美元)，較上季減少2%，營(yíng)業(yè)利益4,180億韓元(約3.75億美元)，較上季衰退41%，凈利為1,100億韓元(約9,059.7萬(wàn)美元);以2010會(huì)計(jì)年度財(cái)報(bào)來(lái)看，營(yíng)收達(dá)12.1兆韓元(約108.41億美元)，營(yíng)業(yè)利益為3.27兆韓元(約29.33億美元)，凈利為2.66兆韓元(約23.8億美元)，均較2009年大幅提升。