半導(dǎo)體投資兩極化

　　韓國(guó)媒體披露，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者2010年?duì)I收成績(jī)亮眼，2011年也將積極進(jìn)行投資計(jì)劃。相對(duì)的，日本及臺(tái)灣企業(yè)投資額則較2010年減少60~70%，投資轉(zhuǎn)為保守。在半導(dǎo)體事業(yè)上，投資規(guī)模與微細(xì)制程的進(jìn)展及價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力等息息相關(guān)，韓國(guó)業(yè)者認(rèn)為2011年韓國(guó)與臺(tái)、日廠的存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)力差距將會(huì)更大。

　　三星電子(Samsung Electronics) 2011年計(jì)劃投資10.3兆韓元(約91.57億美元)發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)，與2010年的11兆韓元規(guī)模相當(dāng)。該公司2011年總投資額當(dāng)中，對(duì)DRAM 等存儲(chǔ)器的投資金額為5.8兆韓元(約51.56億美元)，較2010年的9兆韓元減少約35%，然2010年三星有建設(shè)新產(chǎn)線等特別投資項(xiàng)目，因而三星 2011年的投資規(guī)模仍不可小覷。2009年三星的存儲(chǔ)器投資金額約4兆韓元。三星相關(guān)人員表示，2011年雖提高了系統(tǒng)芯片投資比重，但存儲(chǔ)器方面也將會(huì)持續(xù)進(jìn)行大規(guī)模的投資。

　　海力士半導(dǎo)體(Hynix) 2010年在存儲(chǔ)器事業(yè)方投資了3.8兆韓元(約33.78億美元)，2011年投資規(guī)模也相當(dāng)，約3.4兆韓元(約30.23億美元)，且大部分資金將使用在轉(zhuǎn)換微細(xì)制程方面。

　　日本、臺(tái)灣業(yè)者2011年投資規(guī)?？s減幅度較韓國(guó)大許多。此外，不只投資規(guī)模縮小，在絕對(duì)金額方面，韓國(guó)企業(yè)也超越其它競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者。全球排名第3的日本 DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)近來(lái)表示2011年將投資400億日?qǐng)A(約4.82億美元)，較2010年投資額1,150億日?qǐng)A(約13.86億美元)縮減約65%。

　　臺(tái)灣業(yè)者的情況也很相似。臺(tái)灣華亞科技投資額從2010年新臺(tái)幣550億元，2011年縮減了69%至170億元。南亞也從新臺(tái)幣230億元投資額減半至120億元。

　　外電指出，韓國(guó)企業(yè)與臺(tái)、日業(yè)者間的投資差距，在2011年下半營(yíng)收出現(xiàn)差距后，現(xiàn)金財(cái)力等差異將更大。2010年第4季三星半導(dǎo)體事業(yè)部及海力士營(yíng)業(yè)利益各為1.8兆韓元(約16億美元)及4,180億韓元(約3.72億美元)。日廠爾必達(dá)則出現(xiàn)269億日?qǐng)A(約3.25億美元)虧損，臺(tái)廠南亞也出現(xiàn)新臺(tái)幣87.39億元的赤字。

　　2011年投資的差異將會(huì)使韓國(guó)、臺(tái)灣及日本業(yè)者間的競(jìng)爭(zhēng)力差距更明顯，存儲(chǔ)器芯片投資大部分皆已進(jìn)入轉(zhuǎn)換微細(xì)制程，因此價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力也將更大。