日本電子信息領(lǐng)域技術(shù)戰(zhàn)略地圖（一）半導(dǎo)體技術(shù)子領(lǐng)域

　　自1980年建立以來(lái)，日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)在日本技術(shù)發(fā)展領(lǐng)域發(fā)揮著獨(dú)特的作用。作為日本最大的公共研發(fā)管理組織，它是聯(lián)系官、產(chǎn)、學(xué)、研的重要樞紐(如下圖)。它的主要活動(dòng)包括推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)、新能源和節(jié)能技術(shù)的推廣和國(guó)際合作項(xiàng)目。

　　NEDO每年都要在各先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域中征集新技術(shù)課題，予以研究支持。在征集技術(shù)課題的計(jì)劃中，NEDO會(huì)明確立題的目的和重要性、新課題的范圍或研發(fā)方向、相關(guān)的技術(shù)戰(zhàn)略圖、以及已有的相關(guān)項(xiàng)目，從中我們可以看到日本在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)重點(diǎn)和動(dòng)向。以下將簡(jiǎn)介2009年度NEDO在電子信息領(lǐng)域的技術(shù)課題征集計(jì)劃中的技術(shù)戰(zhàn)略圖，涉及半導(dǎo)體、網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)記憶體、軟件等領(lǐng)域。

　　一、日本半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)略地圖制定背景

　　日本制定半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)略的原因主要有三個(gè)方面：

　　一是日本將半導(dǎo)體技術(shù)定位為泛在社會(huì)的基礎(chǔ)，是產(chǎn)業(yè)內(nèi)非常重要的核心產(chǎn)品，可以提高信息家電、汽車(chē)、產(chǎn)業(yè)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備等各種產(chǎn)品的附加價(jià)值。

　　二是半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化是一個(gè)系統(tǒng)化工程，經(jīng)費(fèi)巨大，需要各方面的合作，包括政府主導(dǎo)與企業(yè)的合作、企業(yè)間的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟等。

　　三是日本需要提高半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)的發(fā)展競(jìng)爭(zhēng)力，并在全球激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中取得勝利。

　　日本的半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)略圖是在國(guó)際半導(dǎo)體發(fā)展路線(xiàn)圖(ITRS)的基礎(chǔ)上，結(jié)合該國(guó)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要，抽取了日本所需的的重要半導(dǎo)體技術(shù)，以低耗電技術(shù)為中心，同時(shí)考慮了納米、新材料以及硅以外的半導(dǎo)體技術(shù)的深度應(yīng)用，以及制造工程的因素，進(jìn)行細(xì)化。

　　日本認(rèn)為半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)是微型化、高性能化、低耗電、新材料新技術(shù)的應(yīng)用(Beyond CMOS)。因此第二代以或者更后面幾代的半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)值得關(guān)注。

　　日本已有的半導(dǎo)體技術(shù)相關(guān)項(xiàng)目有：1、“第二代半導(dǎo)體材料、過(guò)程基礎(chǔ)技術(shù)的開(kāi)發(fā)(MIRAI)項(xiàng)目”(2001~2010年)。其中開(kāi)發(fā)的成果-Selete技術(shù)轉(zhuǎn)移給有限公司，取得了顯著的效果。2、考慮制造時(shí)過(guò)程的變化而進(jìn)行設(shè)計(jì)的“第二代過(guò)程友好設(shè)計(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)”(2006~2010年)，以及在半導(dǎo)體中引入了新思想的“半導(dǎo)體應(yīng)用芯片項(xiàng)目”(2005~2009年)都正在實(shí)施當(dāng)中。

　　這次半導(dǎo)體戰(zhàn)略有以下幾方面的思考：1、將半導(dǎo)體技術(shù)按照業(yè)務(wù)類(lèi)型進(jìn)行分類(lèi)。2、對(duì)半導(dǎo)體的安全性、可靠性、省電性等進(jìn)行重要技術(shù)的分類(lèi)整理。因此按照技術(shù)動(dòng)向的發(fā)展，對(duì)LSTP設(shè)備技術(shù)、裝配技術(shù)、制造技術(shù)、配線(xiàn)技術(shù)的內(nèi)容進(jìn)行修改。?

　　二、日本半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)略地圖研究領(lǐng)域

　　在日本半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)略地圖上，將研究領(lǐng)域分為兩大塊，一是系統(tǒng)LSI(SoC)領(lǐng)域，性能目標(biāo)是高速、多功能、低耗電，制造目標(biāo)是低成本、QTAT(快速周期)、生產(chǎn)種類(lèi)繁多。二是非CMOS領(lǐng)域，性能目標(biāo)是：性能超越硅，超高速、大功率密度、低耗電、具有新功能等。

　　每個(gè)領(lǐng)域設(shè)置若干項(xiàng)目，層次依次為大項(xiàng)目、中項(xiàng)目、中項(xiàng)目細(xì)分或小項(xiàng)目。系統(tǒng)LSI(SoC)領(lǐng)域共有10項(xiàng)大項(xiàng)目，非CMOS領(lǐng)域有2項(xiàng)。以下各表列出的是重點(diǎn)項(xiàng)目，其中斜體字的是小項(xiàng)目。

　　(一)、系統(tǒng)LSI(SoC)

　　1、(大項(xiàng)目)LSTP(低待機(jī)功率)設(shè)置技術(shù)