芯片、頻率、內(nèi)容成為LTE短板

　　在22日舉行的“2011年ICT深度觀察大型報告會”上，中國工程院院士鄔賀銓指出，LTE發(fā)展還需客服三大短板，即芯片、頻率和內(nèi)容。

　　盡管目前全球LTE發(fā)展迅速，2010年全球LTE商用網(wǎng)絡(luò)已達16個，但是目前支持LTE的手持終端產(chǎn)品依然有限。鄔賀銓認為，LTE終端需要的是28-32nm的芯片，而目前最先進的芯片技術(shù)進到45nm。因此，芯片技術(shù)的發(fā)展進程將在一定程度上制約LTE的商用。“摩爾定律已經(jīng)打破，可以預(yù)計未來十年內(nèi)將有新的芯片技術(shù)出現(xiàn)。”鄔賀銓表示。

　　頻譜資源的緊張是制約LTE商用的另一個主要因素。目前美國已經(jīng)將500MHz的頻率資源分配給LTE，充分支持LTE的發(fā)展，而在國內(nèi)，目前頻譜缺口還明顯存在。

　　最后，鄔賀銓指出，目前LTE除了高速上網(wǎng)外，還沒能提供更多令用戶增值的業(yè)務(wù)，需要業(yè)內(nèi)繼續(xù)探索。而對于目前比較熱門的3D手機和增強現(xiàn)實業(yè)務(wù)，鄔賀銓比較看好增強現(xiàn)實。增強現(xiàn)實(AR)，也被稱之為混合現(xiàn)實。它通過電腦技術(shù)，將虛擬的信息應(yīng)用到真實世界，真實的環(huán)境和虛擬的物體實時地疊加到了同一個畫面或空間同時存在，將是未來手機應(yīng)用的一個主要方向。