華潤微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺開發(fā)成功

　　華潤微電子有限公司（后簡稱“華潤微電子”）宣布其附屬公司華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺，各項參數(shù)均達到設計要求，成功進入Trench IGBT代工市場。

　　華潤上華開發(fā)的該工藝產品關鍵參數(shù)如最高耐壓V(BR)CES、導通飽和電壓VCE(on)、關斷損耗Eoff ，以及在實際應用中的溫升效果都與國際大廠相當，該工藝產品主要應用于電磁爐。根據(jù)國內權威的市場調查機構資料，2010年中國電磁爐用IGBT的市場規(guī)模達4.6億元人民幣，預期2011年中國電磁爐用IGBT市場規(guī)模為5.3億元人民幣，較2010年成長15.2%，到2012年與2013年分別達6.1億元人民幣與7.0億元人民幣，增長率分別為15.1%與14.8%。

　　華潤上華作為國內首家以晶圓代工模式立足中國半導體市場的產業(yè)先鋒，自2005年DMOS工藝量產以來，成功開發(fā)量產了6英寸高壓平面柵400-650V 系列DMOS、6英寸中壓平面柵50-200V系列DMOS、8英寸低壓溝槽柵20-40V系列DMOS、8英寸中壓溝槽柵50-80V系列DMOS等豐富的功率器件工藝平臺。此次1200V Trench NPT IGBT工藝平臺的開發(fā)成功，使得華潤微電子和華潤上華在功率器件代工的工藝平臺更為全面，將進一步促進國內新型電力電子產業(yè)的發(fā)展，提高節(jié)能減排關鍵部件的國產化水平和比重。