飛利浦稱0.14微米嵌入式閃存/EEPROM量產(chǎn)

  　飛利浦日前宣布其0.18微米CMOS嵌入式閃存/EEPROM技術(shù)現(xiàn)已完全符合Grade-1汽車電子應(yīng)用的需求，其0.14微米嵌入式閃存/EEPROM已開始在位于荷蘭奈梅亨市的晶圓廠進行量產(chǎn)，這也是飛利浦第二家符合這一工藝生產(chǎn)要求的工廠。

　　飛利浦稱，嵌入式閃存和EEPROM存儲器已成為當今許多片上系統(tǒng)解決方案的一個重要組成部分。它不但提供了在生產(chǎn)線上用不同的軟件對這些芯片進行編程或進行現(xiàn)場軟件升級的能力，還實現(xiàn)了對重要的本地數(shù)據(jù)例如PIN密碼或地址簿信息的存儲，并且可以在設(shè)備斷電的時候保留這些數(shù)據(jù)。典型的應(yīng)用包括手機、電視機、MP3播放器和智能卡、以及電線驅(qū)動的汽車電子系統(tǒng)。

　　飛利浦半導體嵌入式存儲器技術(shù)戰(zhàn)略規(guī)劃經(jīng)理Frans List表示：“新的以及已經(jīng)問世的片上系統(tǒng)解決方案所具有的向更先進的處理工藝發(fā)展的能力不應(yīng)該因為缺乏合適的嵌入式存儲器選擇而受到阻礙。通過開發(fā)為嵌入到高性能CMOS工藝而優(yōu)化的低功耗非易失性技術(shù)，我們有信心我們的閃存和EEPROM解決方案能夠在未來至少兩代CMOS處理技術(shù)中具有競爭力?！?

　　Gartner Dataquest半導體研究副總裁Mike Williams表示：“對于下一代汽車電子應(yīng)用而言，大量的市場將要求整體價格的降低和體積的減小，從而通過OEM模式來實現(xiàn)產(chǎn)品提升。飛利浦為嵌入式閃存和EEPROM開發(fā)的工藝技術(shù)結(jié)合了低功耗和可擴展性，使得客戶能夠簡化下一代設(shè)計平臺并取得顯著的成本效益。”

　　不同于絕大多數(shù)競爭對手的非易失性存儲器技術(shù)采用溝道熱電子(CHE)注入進行存儲器單元編程以及富雷一諾特海姆式進行隧穿及擦除，飛利浦的閃存/EEPROM技術(shù)在編程和擦除方面都采用了富雷一諾特海姆式隧穿。其存儲器單元低功耗的結(jié)果是飛利浦0.18微米閃存能夠完全符合Grade-1(125℃環(huán)境溫度)要求的原因之一。這使得這一工藝適用于實現(xiàn)飛利浦正在為汽車電子應(yīng)用(例如支持FlexRay的電線驅(qū)動的系統(tǒng))開發(fā)的強大的基于ARM的微控制器。低功耗也是EEPROM技術(shù)高度適用于智能卡的原因，尤其是那些非接觸智能卡，它們需要從RF域獲取操作能源來進行卡到讀卡器以及讀卡器到卡的通信。在這些應(yīng)用中，超低功耗是一個非常重要的設(shè)計要求。

　　據(jù)介紹，飛利浦的0.14微米閃存/EEPROM現(xiàn)已在飛利浦設(shè)于奈梅亨的晶圓廠開始量產(chǎn)，并用于包括飛利浦UOCIII超級單片(Ultimate One Chip)電視在內(nèi)的應(yīng)用中，它為設(shè)計者開發(fā)了一個設(shè)計環(huán)境使得他們能夠?qū)⒖蓴U展和不可擴展的IP集成到同一個芯片上。這一結(jié)果解決了不同IP塊(例如：閃存/EEPROM、模擬、SRAM和I/O塊)可擴展性不同的問題。由此，設(shè)計者有了一個轉(zhuǎn)向同0.13微米CMOS相比更具成本優(yōu)勢的工藝，不需要承擔完全重新設(shè)計的風險，并且沒有額外的銅線互連、193納米平板刻法和300納米晶圓處理的工藝復(fù)雜問題。

　　還有一個優(yōu)勢是標稱供應(yīng)電壓維持在1.8伏。它不必像在標準0.13微米技術(shù)中那樣降到1.2伏特。因此，產(chǎn)品系列可以很容易得到擴充，而不必在產(chǎn)品規(guī)范中對供應(yīng)電壓進行變動。

　　對于那些希望從可再編程代碼轉(zhuǎn)向固定代碼的客戶，飛利浦提供了一個“閃存到ROM”的轉(zhuǎn)換服務(wù)。這一服務(wù)也正處于實現(xiàn)符合0.14微米工藝汽車電子應(yīng)用要求的過程中。飛利浦還開發(fā)了一個16K字節(jié)的EEPROM塊，用于它的IP黃頁(IP Yellow Page)和Nx-Builder片上系統(tǒng)設(shè)計流程。這一存儲器塊能夠同閃存一起使用，從而增加字節(jié)寫功能。