東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程NAND閃存芯片

　　上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設有一家合資芯片制造公司。

　　此舉令外界感到非常驚訝。因為按照外界的估計，Sandisk與東芝本應到今年年末時才會對外公布其采用1xnm級別制程的NAND芯片產(chǎn)品。而現(xiàn)在Intel和鎂光卻只在第一名的寶座上坐了7天就被趕下臺來。

　　目前Sandisk與東芝開發(fā)的19nm制程技術(shù)已經(jīng)應用到了公司的2位元型64Gb密度芯片產(chǎn)品上，也就是說采用這種19nm制程技術(shù)制造的芯片容量可以達到8GB水平。未來兩家公司還計劃將這種制程技術(shù)應用在3位元型閃存產(chǎn)品上。

　　據(jù)東芝表示，兩家公司將在其位于日本橫濱的300mm規(guī)格Fab4(而非新建的300mmFab5)工廠內(nèi)采用19nm制程生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，并將逐步提升芯片的產(chǎn)量。目前兩家公司在橫濱的生產(chǎn)基地內(nèi)共設有四間NAND閃存芯片工廠。

　　去年，日本東芝公司開始了新NAND閃存芯片廠Fab5的建設工作，這間工廠同樣也是300mm規(guī)格，該廠預計今年春季將竣工。

　　東芝還表示，東芝方面采用19nm制程制作的2位元型64Gbit密度NAND芯片樣品將于本月底對外供應，而產(chǎn)品的量產(chǎn)則定于今年第三季度進行。

　　應用19nm制程將能進一步縮小閃存芯片的尺寸，這樣東芝便可以將16片64Gbit密度的NAND閃存芯片安裝在同一個封裝內(nèi)，制造出128GB容量的閃存芯片產(chǎn)品，以滿足智能手機和平板電腦的需求。另外，這款采用19nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片還啟用了可提升數(shù)據(jù)傳輸速度的Toggle DDR2.0技術(shù)。

　　而Sandisk方面則將在本季度內(nèi)推出采用19nm制程64Gbit密度NAND芯片制作的X2閃存樣品，產(chǎn)品的量產(chǎn)則計劃于今年下半年啟動。屆時Sandisk同樣會將19nm制程技術(shù)引入3位元型設計的NAND閃存芯片產(chǎn)品中去。