英特爾與美光新加坡合資NAND閃存廠投產(chǎn)
—— 工廠采用25納米生產(chǎn)流程
英特爾官員日前表示,英特爾和美光聯(lián)手在新加坡投資30億美元興建的NAND閃存廠周四開始投產(chǎn)。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/118917.htm之前由于爆發(fā)全球性金融危機(jī),加上內(nèi)存產(chǎn)品價(jià)格低迷,英特爾和美光剛開始就推遲了興建這座工廠的計(jì)劃,不過(guò)雙方于2010年又把這項(xiàng)計(jì)劃重新提上日程。雙方表示,由于進(jìn)展順利,工廠提前完工。
英特爾非易失性存儲(chǔ)解決方案集團(tuán)副總裁托馬斯·蘭波尼(ThomasRampone)稱這座工廠剛開始每月可生產(chǎn)數(shù)千塊晶片,明后兩年每月可生產(chǎn)2.5萬(wàn)塊晶圓。每塊晶圓包含有許多閃存芯片。
目前,美光和英特爾在美國(guó)擁有2家合資廠。隨著市場(chǎng)對(duì)芯片產(chǎn)品需求的不斷擴(kuò)大,雙方再度聯(lián)手新建了這座工廠,面向移動(dòng)設(shè)備制造商銷售產(chǎn)品。
英特爾和美光表示,工廠剛開始將采用25納米生產(chǎn)流程,年底前將采用20納米生產(chǎn)流程。英特爾和美光之所以選擇在新加坡建廠,主要是為了吸引更多人才,接近供應(yīng)鏈。
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