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          美光宣布量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品

          • 美光科技股份有限公司近日宣布,其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的?SSD?產(chǎn)品已開(kāi)始出貨,成為業(yè)界首家實(shí)現(xiàn)這一里程碑的廠商之一。美光?G9 NAND?技術(shù)具備高達(dá)?3.6 GB/s?的數(shù)據(jù)傳輸速率,提供卓越的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)帶寬。該項(xiàng)?NAND?新技術(shù)為人工智能(AI)及其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場(chǎng)景帶來(lái)出色的性能,適用于個(gè)人設(shè)備、邊緣服務(wù)器、企業(yè)和云數(shù)據(jù)中心。美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁?Scott DeBoer?表
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          鎧俠提升 NAND 閃存產(chǎn)能利用率,群聯(lián) CEO 潘建成樂(lè)見(jiàn)原廠增產(chǎn)

          • IT之家 3 月 5 日消息,據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,在鎧俠提升 NAND 產(chǎn)能的消息傳出后,兩家下游廠商群聯(lián)和威剛的高管分別就此表達(dá)自身看法。根據(jù)之前報(bào)道,鎧俠表示將重新審視 NAND 閃存減產(chǎn)策略,本月內(nèi)將開(kāi)工率提升至 90%。群聯(lián)執(zhí)行長(zhǎng)(CEO)潘建成表示群聯(lián)目前仍處于缺貨狀態(tài),如果 NAND 閃存原廠可以合理價(jià)格提供穩(wěn)定供貨,對(duì)群聯(lián)算是好事。此外原廠擴(kuò)產(chǎn)可幫助 NAND 市場(chǎng)恢復(fù)秩序:閃存價(jià)格若持續(xù)上漲將影響下游廠商需求,而原廠產(chǎn)能提升可平抑價(jià)格。對(duì)各下游廠商而言,現(xiàn)有的低價(jià) NAND
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          三星計(jì)劃明年初量產(chǎn)超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存,號(hào)稱層數(shù)業(yè)內(nèi)最多

          • IT之家 10 月 19 日消息,三星是全球最大的 NAND 閃存供應(yīng)商,對(duì)其 V-NAND(即三星稱之為的 3D NAND)的發(fā)展有著宏大的計(jì)劃,本周三星分享了一些相關(guān)信息。該公司證實(shí),其正在按計(jì)劃生產(chǎn)擁有超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存,并表示這將是業(yè)內(nèi)層數(shù)最多的 3D NAND?!暗诰糯?V-NAND 基于雙層結(jié)構(gòu),層數(shù)達(dá)到業(yè)界最高水平,明年初將開(kāi)始量產(chǎn)?!比请娮涌偛眉娲鎯?chǔ)器事業(yè)部負(fù)責(zé)人李政培(Lee Jung-Bae)在博客文章中寫(xiě)道。IT之家注意到,8 月份就有消息稱,三
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          SK海力士接盤(pán)英特爾閃存 韓廠商占存儲(chǔ)芯片半壁江山

          • 半導(dǎo)體并購(gòu)再起  2020年以來(lái),半導(dǎo)體的重磅收購(gòu)不斷,10月20日,SK海力士和英特爾官宣,SK海力士將以90億美元收購(gòu)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)。本次收購(gòu)包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件和晶圓業(yè)務(wù)、以及其在中國(guó)大連的NAND閃存制造工廠,不過(guò),英特爾將保留傲騰(Optane)的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)?! K海力士在聲明中表示,SK海力士與英特爾將爭(zhēng)取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士將通過(guò)支付第一期70億美元對(duì)價(jià)從英特爾收購(gòu)NAND SSD(固態(tài)硬盤(pán))業(yè)務(wù)(包括NAND
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          威剛:閃存內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)已于6月見(jiàn)底 合約價(jià)本月見(jiàn)底

          • NAND閃存價(jià)格連跌6個(gè)季度、DRAM內(nèi)存價(jià)格連跌3個(gè)季度,這本來(lái)是下游廠商以及消費(fèi)者期盼已久的,畢竟2016到2018年間內(nèi)存、閃存芯片幾乎漲了2年,讓消費(fèi)者吃夠了漲價(jià)的苦頭了。
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          長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存

          • 紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)(CITE2019)上展示了企業(yè)級(jí)P8260硬盤(pán),使用的就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND閃存。長(zhǎng)江存儲(chǔ)并不打算大規(guī)模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存,該公司CTO程衛(wèi)華在接受采訪時(shí)表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,目前計(jì)劃進(jìn)展順利,沒(méi)有任何障礙。
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          簡(jiǎn)析:固態(tài)硬盤(pán)(SSD)相關(guān)概念

          • 簡(jiǎn)析:固態(tài)硬盤(pán)(SSD)相關(guān)概念-目前閃存在企業(yè)級(jí)應(yīng)用也越來(lái)越多,包括混合閃存陣列以及全閃存陣列全面上市,而且Gartner機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),未來(lái)幾年閃存會(huì)有很大的發(fā)展。這里提的閃存概念是SSD概念,即固態(tài)硬盤(pán),而固態(tài)硬盤(pán)是由多個(gè)NAND閃存芯片組成的。采用FLASH芯片作為存儲(chǔ)介質(zhì),這也是我們通常所說(shuō)的SSD。這種SSD 固態(tài)硬盤(pán)最大的優(yōu)點(diǎn)就是可以移動(dòng),而且數(shù)據(jù)保護(hù)不受電源控制,能適應(yīng)于各種環(huán)境。
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          內(nèi)存顆粒漲價(jià)狂潮,來(lái)了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細(xì)節(jié)

          • 內(nèi)存顆粒漲價(jià)狂潮,來(lái)了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細(xì)節(jié)-2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司(IMFT)在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過(guò)整合Intel公司的NOR多層單元(MLC)閃存技術(shù)與美光的DRAM和NAND閃存的制造效率和創(chuàng)新性,并且在兩個(gè)母公司強(qiáng)大的IP庫(kù)支持下,IMFT在同一年推出的第一個(gè)產(chǎn)品就讓市場(chǎng)深受震動(dòng)。
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          第三季度NAND閃存市場(chǎng)不樂(lè)觀

          • NAND閃存的平均銷(xiāo)售價(jià)格在2013上半年一路上漲,但是第三季度的市場(chǎng)卻不容樂(lè)觀,由于庫(kù)存的壓力,平均售價(jià)在下半年預(yù)計(jì)會(huì)下挫,廠商們應(yīng)該持有一個(gè)
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          三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

          •   全球先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤(pán)的業(yè)內(nèi)首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。   三星電子存儲(chǔ)芯片營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)負(fù)責(zé)人韓宰洙高級(jí)副總裁表示:“通過(guò)推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線,我們相信3bit V-NAND將會(huì)加快數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備從傳統(tǒng)硬盤(pán)向固態(tài)硬盤(pán)的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的多樣化,將加強(qiáng)三星產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤(pán)業(yè)務(wù)的發(fā)展?!?   3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品,每
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          三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存

          •   全球存儲(chǔ)領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布,已開(kāi)始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結(jié)構(gòu)的“32層三維V-NAND閃存”。   三星電子此次推出的32層三維V-NAND,與之前推出的24層V-NAND相比,雖然堆疊存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)難度更高,但是因?yàn)榭梢灾苯邮褂蒙a(chǎn)第一代V-NAND閃存的設(shè)備,所以具有更高的生產(chǎn)效率。   除此之外,三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤(pán)系列產(chǎn)品,并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數(shù)據(jù)中心推
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          追夢(mèng)中國(guó)集成電路

          • 《中國(guó)電子報(bào)—電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)》自6月初開(kāi)始發(fā)表了《中國(guó)IC業(yè)十大“芯”結(jié)求解述評(píng)》系列文章,到7月底已連續(xù)發(fā)了7篇。
          • 關(guān)鍵字: IC產(chǎn)業(yè)  DRAM  NAND閃存  201309  

          ST閃存技術(shù)解析

          • 前言閃存是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視和機(jī)頂盒或發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊等數(shù)字應(yīng)用中一種十分常見(jiàn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,這...
          • 關(guān)鍵字: ST  閃存技術(shù)  NOR閃存  NAND閃存  

          關(guān)于Micron和Intel 20nm 64-Gbit MLC NAND閃存的深度探究

          • NAND閃存在半導(dǎo)體市場(chǎng)上的成功主要得益于手機(jī)和平板電腦市場(chǎng)的持續(xù)迅猛發(fā)展以及高性能固態(tài)硬盤(pán)(SSDs)取代硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的廣泛應(yīng)用。美光與英特爾去年共同宣布,通過(guò)20 nm制造工藝技術(shù)結(jié)合突破性的單元架構(gòu)概念,可以制造出僅由一組簡(jiǎn)單芯片組成的TB容量NAND閃存。
          • 關(guān)鍵字: 美光  英特爾  NAND閃存  UBM  

          Intel將向美光出售合資NAND閃存廠股份

          •   Intel同意與美光科技擴(kuò)大就閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作,提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議,美光將為Intel供貨NAND閃存產(chǎn)品,而Intel則將向美光出售價(jià)值6億美元的兩家合資晶圓廠股份。   協(xié)議規(guī)定,Intel將首先接收美光一半的股份購(gòu)買(mǎi)資金,另外一半將寄放在美光,可能會(huì)按照供貨協(xié)議退還或用于未來(lái)采購(gòu)。該協(xié)議還擴(kuò)大了雙方在NAND閃存共同開(kāi)發(fā)項(xiàng)目上的合作計(jì)劃,以覆蓋新興存儲(chǔ)技術(shù)。   該交易預(yù)計(jì)將在今年上半年完成。   Intel和美光已經(jīng)在NAND閃存芯片制造領(lǐng)域合作了幾
          • 關(guān)鍵字: Intel  NAND閃存  
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          nand閃存介紹

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