華虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)進(jìn)入量產(chǎn)

　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)宣布，公司與其技術(shù)合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT(溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái)成功進(jìn)入量產(chǎn)，成為國(guó)內(nèi)第一家提供此類工藝代工的8英寸廠家。

　　在提倡節(jié)能減排、低碳經(jīng)濟(jì)的當(dāng)今時(shí)代，具備節(jié)能效率高、便于規(guī)?；a(chǎn)、較易實(shí)現(xiàn)節(jié)能智能化等優(yōu)點(diǎn)的IGBT已成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展的主流技術(shù)。華虹NEC利用多年0.13um以上CMOS和功率MOSFET的經(jīng)驗(yàn)，特別是華虹NEC領(lǐng)先的Trench技術(shù)，在溝槽的形貌、光滑度和填充等工藝性能穩(wěn)定，可靠性高，可以很好地滿足高端電力電子器件需求的優(yōu)勢(shì)，于2009年啟動(dòng)了IGBT技術(shù)研究和開發(fā)。目前已有多家客戶基于華虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開發(fā)產(chǎn)品，具有耐壓高、漏電小、通態(tài)壓降低、米勒電容小、可靠性高等顯著優(yōu)點(diǎn)，多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)已達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。在此基礎(chǔ)上，華虹NEC將繼續(xù)開發(fā)更高電壓和更大電流的IGBT技術(shù)。該技術(shù)的產(chǎn)品非常適合用于新能源汽車、家用電器、軌道交通、智能電網(wǎng)、太陽能逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。

　　華虹NEC銷售與市場(chǎng)副總裁高峰表示：“該項(xiàng)目的成功標(biāo)志著華虹NEC已成功邁入IGBT代工領(lǐng)域，公司今后還將繼續(xù)著力擴(kuò)大該領(lǐng)域業(yè)務(wù)，吸引、爭(zhēng)取更多的合作伙伴。”

　　在功率分立器件領(lǐng)域，華虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服務(wù)的8英寸晶圓廠，也是世界上出貨量最大的廠家，截至目前，分立器件累計(jì)出貨超過200萬片8寸晶圓。自2009年以來，華虹NEC連續(xù)推出了溝槽400-700V高壓MOSFET工藝平臺(tái)和600-700V超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET。此次推出的1200V IGBT標(biāo)志著華虹NEC在功率器件領(lǐng)域的又一個(gè)突破，同時(shí)，華虹NEC正在開發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的1700V到6500V高功率IGBT工藝平臺(tái)，預(yù)計(jì)將在2012年到2013年陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)。從低壓到高壓，從MOSFET到IGBT,華虹NEC力爭(zhēng)成為功率器件代工領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊。