評(píng)論:日本震后晶圓代工的發(fā)展之路
日震對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響仍在余波蕩漾。今年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將會(huì)如何?未來(lái)2~3年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的走向?yàn)楹?日震對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的影響程度應(yīng)該如何看待?曾經(jīng)在英特爾和中芯(SMIC)美國(guó)分公司長(zhǎng)期服務(wù)、對(duì)于全球半導(dǎo)體制造晶圓代工業(yè)界瞭解程度相當(dāng)深厚的Gartner研究總監(jiān)王端,便提出頗具參考價(jià)值的看法與分析。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/119265.htm王端指出,日本地震真正產(chǎn)生影響效應(yīng)的是刺激市場(chǎng)產(chǎn)生供貨短缺的預(yù)期心理,使得半導(dǎo)體廠商為提高庫(kù)存水位而提高元件存貨需求,連帶地促使全球晶圓代工廠12寸晶圓供應(yīng)量不斷拉高,日震對(duì)于主要晶圓代工廠本身并沒(méi)有產(chǎn)生直接影響。但由于石油價(jià)格處于高價(jià)位階段,加上日震后預(yù)期心理,使得消費(fèi)者對(duì)于采購(gòu)智慧型手機(jī)和媒體平板電腦繼續(xù)保持觀望態(tài)度,因此今年第2季之前,智慧型手機(jī)和平板裝置主要帶動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的兩大終端裝置,成長(zhǎng)將處于1~2%的低檔幅度。兩相正反因素抵銷之下,今年全球晶圓代工營(yíng)收仍將維持Gartner先前的預(yù)估幅度,亦即今年年成長(zhǎng)率仍有10.2%、全球總營(yíng)收為311.5億美元。
值得注意的是,各大晶圓代工廠不斷提高12寸晶圓供應(yīng),但消費(fèi)電子市場(chǎng)采購(gòu)半導(dǎo)體元件動(dòng)能趨緩,加上到2013年,全球主要晶圓代工廠都將投入從40奈米過(guò)渡到28奈米的激烈競(jìng)爭(zhēng)行列,以率先提出低功耗、高效能、尺寸更加微型化的晶圓制程,來(lái)滿足微處理器和繪圖晶片等系統(tǒng)單晶片、在智慧型手機(jī)和媒體平板裝置內(nèi)要求高度整合和擴(kuò)充性的應(yīng)用需求。因此晶圓代工大廠如何有效發(fā)揮40奈米和28奈米的產(chǎn)能利用率,已是晶圓代工大廠當(dāng)前必須正視的課題。
王端指出,各大晶圓代工廠競(jìng)相角逐28奈米制程,將使整體晶圓代工產(chǎn)能利用率面臨過(guò)渡階段的尷尬期,到2012年全球12寸晶圓將處于過(guò)剩狀態(tài)。預(yù)估今年全球12寸晶圓供應(yīng)將過(guò)剩34%,明年則會(huì)有28%,臺(tái)積電12寸晶圓過(guò)剩供應(yīng)將超出33%,聯(lián)電也有20%的過(guò)剩供應(yīng)。晶圓過(guò)剩供應(yīng)情況將繼續(xù)到2013年。但也因?yàn)榫A代工大廠開(kāi)始啟動(dòng)從40奈米到28奈米的制程過(guò)渡計(jì)劃,因此到2013年,晶圓代工大廠平均產(chǎn)能利用率相對(duì)維持在80%左右的相對(duì)低檔。
王端進(jìn)一步指出,2012年28奈米制程將成為主流制程,但目前真正能夠進(jìn)入28奈米量產(chǎn)營(yíng)收階段的,只有臺(tái)積電,具體提出在今年第3季達(dá)到1%、第4季可達(dá)到2~3%的營(yíng)收目標(biāo)。臺(tái)積電預(yù)估28奈米制程可從1%提升到10%營(yíng)收的時(shí)程,也只要4個(gè)季度,比起一般所需要的5個(gè)季度更短。因此王端認(rèn)為,從產(chǎn)品、產(chǎn)能、制程技術(shù)、IP專利到客戶服務(wù),臺(tái)積電仍將在幾年內(nèi)穩(wěn)坐全球晶圓代工龍頭、保持業(yè)界長(zhǎng)期規(guī)范的優(yōu)勢(shì)地位。
至于Global Foundries(GF)和三星電子與IBM透過(guò)IBM Common Platform,也在28奈米技術(shù)授權(quán)部份有密切的合作,GF已經(jīng)直接跳過(guò)32奈米直取28奈米制程,而三星電子則是32奈米和28奈米并重,不過(guò)目前GF和三星電子在28奈米都仍處于制程驗(yàn)證合格階段,尚未達(dá)到產(chǎn)品驗(yàn)證階段,仍落后臺(tái)積電大概有1~2個(gè)季度的時(shí)程。王端認(rèn)為,今年年底前GF和三星電子能否提出28奈米晶圓制程具體的營(yíng)收目標(biāo),是相當(dāng)重要的關(guān)鍵,決定這兩家能否在28奈米制程的激烈競(jìng)賽中勝出。假使能勝出,28奈米階段全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)四雄并起的局面。但有別于臺(tái)積電或是GF廣泛地與更多的晶片制造商客戶合作的模式,三星電子將利用先進(jìn)制程技術(shù)與特定的半導(dǎo)體供應(yīng)商進(jìn)行合作。
目前臺(tái)積電和GF都開(kāi)始進(jìn)行20奈米制程的研發(fā)作業(yè),不過(guò)進(jìn)程最快的還是英特爾,預(yù)計(jì)在2012年可以完成產(chǎn)品驗(yàn)證階段。但既有的矽晶圓制程技術(shù)將面臨效能撞墻的局限。王端表示10年之內(nèi)這個(gè)問(wèn)題就會(huì)出現(xiàn),不過(guò)包括3DIC、碳奈米和光導(dǎo)體等正在開(kāi)發(fā)的新技術(shù),則有相對(duì)樂(lè)觀的空間和機(jī)會(huì)可以扮演繼往開(kāi)來(lái)的角色。
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