混合動(dòng)力汽車挑戰(zhàn)電源芯片與功率器件

　　為了滿足電池和功率管理、以及相關(guān)的DC/DC轉(zhuǎn)換器的要求，IR的HEV方案系列也包括了具備非常低EMI和優(yōu)化了的開關(guān)性能的驅(qū)動(dòng)器及開關(guān)。例如最新的DirectFET MOSFET產(chǎn)品便完全不用鍵合線，并且因?yàn)橄舜蟛糠值募纳姼?，以及具備最小的封裝電阻，所以能夠提供最佳的開關(guān)性能。除了領(lǐng)先行業(yè)的低導(dǎo)通電阻、卓越的開關(guān)性能和增強(qiáng)了的溫度能效(例如雙側(cè)散熱)，這款十分先進(jìn)的無鍵合線芯片尺寸封裝讓設(shè)計(jì)的體積顯著減小，特別適用于高功率要求或者如HEV DC/DC轉(zhuǎn)換器這些快速開關(guān)應(yīng)用。

　　Allegro MicroSystems公司具有故障診斷和報(bào)告功能的全橋式MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器A4940，采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監(jiān)控電路、寬泛的工作電壓(5.5至50V)和溫度(40℃至+150℃)范圍。該器件特別針對(duì)使用大功率電感負(fù)載(如：直流電刷電動(dòng)機(jī))的汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

　　壓電噴射或高強(qiáng)度照明等其它應(yīng)用需要100V到200V的功率器件和驅(qū)動(dòng)器。而點(diǎn)火IGBT和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車在使用300V到1,000V以上的IGBT。飛兆半導(dǎo)體公司的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動(dòng)器在高側(cè)和橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機(jī)控制。與市場(chǎng)上同類器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上(靜態(tài)電流100μA對(duì)比240μA)，容許設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴(kuò)大工作范圍。

　　絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率MOSFET作為混合動(dòng)力汽車的核心技術(shù)，吸引功率半導(dǎo)體廠商紛紛瞄準(zhǔn)這個(gè)龐大的市場(chǎng)。ISuppli曾預(yù)測(cè)汽車IGBT市場(chǎng)有望以17.2%的年復(fù)合增長(zhǎng)率高速發(fā)展，位居汽車電源管理器件之首，MOSFET市場(chǎng)增長(zhǎng)居其次。雖然在未來幾年中混合動(dòng)力車輛還將只是占據(jù)車輛市場(chǎng)的一小部分，但混合動(dòng)力對(duì)逆變器和DC/DC的集中需求將形成市場(chǎng)對(duì)IGBT和功率MOSFET的巨大需要。