NAND閃存高級(jí)制程技術(shù)量產(chǎn)后才有意義

　　盡管NAND閃存廠商都在積極向亞30nm制程轉(zhuǎn)移，但按閃存業(yè)者的看法，只有將這些高級(jí)制程投入量產(chǎn)使用才較有實(shí)際意義。NAND閃存產(chǎn)品向更高級(jí)制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移時(shí)，所需的產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)間越來(lái)越長(zhǎng)，便是這一看法的明證之一。

　　據(jù)業(yè)者透露，30nm級(jí)別制程的NAND閃存產(chǎn)品初定的客戶驗(yàn)證時(shí)長(zhǎng)是在3-6個(gè)月左右，但是后來(lái)由于閃存產(chǎn)品的性能，質(zhì)量和可靠性方面的要求提升，客戶們已經(jīng)將產(chǎn)品的驗(yàn)證時(shí)間延長(zhǎng)到了9個(gè)月。

　　消息來(lái)源還透露說(shuō)三星和東芝的2xnm制程級(jí)別NAND芯片目前也都還沒(méi)有通過(guò)其最大客戶蘋果的驗(yàn)證。

　　在新制程產(chǎn)品的量產(chǎn)方面，Intel和鎂光走在了前面，他們共同開發(fā)的25nm制程芯片已經(jīng)于今年上半年投入了量產(chǎn)，而三星則隨后才開始提升其27nm閃存芯片的產(chǎn)量，東芝的24nm產(chǎn)品以及Hynix的26nm產(chǎn)品也隨后跟進(jìn)提升產(chǎn)量。這標(biāo)志著各家主要的NAND閃存廠商開始了爭(zhēng)相轉(zhuǎn)移到20nm級(jí)別制程的新一輪競(jìng)賽。

　　由于鎂光和Intel定于今年下半年從25nm制程轉(zhuǎn)向20nm制程，加上三星，東芝和Hynix屆時(shí)也會(huì)分別從27nm轉(zhuǎn)向21nm節(jié)點(diǎn)，從24nm轉(zhuǎn)向19nm以及從26nm轉(zhuǎn)向20nm制程節(jié)點(diǎn)，因此預(yù)計(jì)到時(shí)NAND閃存芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)將變得非常激烈。