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          存儲(chǔ)器思謀發(fā)展

          作者: 時(shí)間:2011-05-21 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

           

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/119683.htm

            熱將遇“post”?

            “2011 is likely to be the year of the .”2011年或是年,這么熱的產(chǎn)品將遭遇“post NAND”? 變革是必然的, 答復(fù)是肯定的。NAND告別了勁增38%“最偉大”的2010年,在智能手機(jī)和平板電腦兩大紅火產(chǎn)品的拉抬下,2011年仍將保持兩位數(shù)增長,市場調(diào)研公司iSuppli最近報(bào)告指出,今年NAND將續(xù)增18%,達(dá)220億美元,從bit使用量講,更將竄升72%,達(dá)到193億GB。但到2011年末,由于過度樂觀而將帶來供過于求和價(jià)格走低,使2012年的增長率由正轉(zhuǎn)負(fù),等到2013年才可望反彈,再增11%,2014年又將是停滯的平淡之年(圖2)。

            市場調(diào)研公司Gartner展望,2014年NAND存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的需求,將從現(xiàn)在的10E(E=1018)B增長到100EB,其中包括智能手機(jī)在內(nèi)的手機(jī)約占33%,平板電腦約18%,兩者合計(jì)過半,達(dá)51%。又據(jù)市場調(diào)研公司DMeXchange日前報(bào)告顯示,2011年世界NAND的出貨量如果換算成每個(gè)16 GB計(jì)算的話,合共93.3億個(gè),比上年勁增78%。該公司稱,生產(chǎn)工藝技術(shù)將迅速發(fā)展,2010年以4Xnm和3Xnm為主,2011年即將轉(zhuǎn)向3Xnm和2Xnm工藝。

            由于平板電腦特別是蘋果公司的iPad對(duì)消費(fèi)者極具誘惑力,消量大增,牽引NAND順勢(shì)上揚(yáng),被稱為“蘋果效應(yīng)”。iSuppli公司預(yù)測(cè),2011年平板電腦用NAND的存儲(chǔ)容量將陡增到23億GB,比上年爆增382%,如按每個(gè)1GB容量計(jì)算,那出貨量更將有近5倍之增,超過20億TB。且未來幾年不見消沉之勢(shì),預(yù)計(jì)到2014年將連年增長到123億GB(圖3)。平板電腦用NAND在全部NAND供貨量中的比重,2011年將從上年的4.3%提升到11.8%,2014將進(jìn)一步擴(kuò)大到16%。

            Post NAND 發(fā)跡

            最近幾年,半導(dǎo)體業(yè)中NAND工藝的微細(xì)化是發(fā)展最快的,大約是每1年3個(gè)月~l年半間前進(jìn)一代,使相同面積上的存儲(chǔ)容量翻番。當(dāng)下最先進(jìn)的NAND是用25nm工藝制造的64GB產(chǎn)品。但是,這種強(qiáng)勁發(fā)展在3~4年內(nèi)或?qū)⑴霰冢A(yù)計(jì)2011年將跨進(jìn)20nm代,2012年16~17nm代,2013年進(jìn)入15nm代,業(yè)界認(rèn)為,15nm可能是微細(xì)化的極限,到了NAND王朝陷落之時(shí)。

            怎么辦?業(yè)界提出了兩條道路:一是沿襲NAND的工作原理,變更它的單元結(jié)構(gòu);二是引進(jìn)全新的工作原理,例如釆用阻抗變化材料的ReRAM(Resistive RAM――電阻M)等,3D結(jié)構(gòu)則是兩者的共同發(fā)展方向。

            原先的制造微細(xì)化都是在平面上縮小尺寸,以增加單位面積的存儲(chǔ)容量,而今改為在硅基板上釆取存儲(chǔ)單元垂直立體堆疊方式,如果堆疊4個(gè)單元,面積縮小到1/4,效果十分顯著,容量增大,成本縮減。這項(xiàng)研發(fā)始自本世紀(jì)之交,至今若干廠商已然計(jì)劃產(chǎn)品化,走在最前面幾家的目標(biāo),是于2014年左右釆用17nm工藝,2bit/單元,4單元堆積方式,量產(chǎn)1T(1012)B的3D NAND,承接15nm以下的256GB平面NAND,使產(chǎn)品容量一舉擴(kuò)大4倍。

            除了3D結(jié)構(gòu)NAND以外,新的非揮發(fā)的開發(fā)也在加速,它們變革了工作原理,提高了性能,主要產(chǎn)品有ReRAM、PRAM(Phase RAM――相變RAM)和MRAM(Magnetic RAM――磁性RAM)3類。業(yè)界估計(jì),2014年1TB的ReRAM有可能量產(chǎn)化,早已量產(chǎn)的MB級(jí)PRAM和MRAM也勢(shì)必要走大容量化的道路,上述幾類產(chǎn)品的特性約如表2所示。

            展望NAND市場發(fā)展,今后將有兩個(gè)階段:第一階段(2011~2015年),以智能手機(jī)、平板電腦以及配置SSD的PC終端需求均可望繼續(xù)擴(kuò)大;第二階段(2015年~ ),由從事云計(jì)算的服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等各類基礎(chǔ)設(shè)施牽引需求。


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