英飛凌新一代高壓MOSFET設(shè)立能效新標(biāo)準(zhǔn)

　　英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET取得了又一項(xiàng)創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標(biāo)準(zhǔn)。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。

　　650V CoolMOS™ CFD2集快速開關(guān)超級結(jié)技術(shù)MOSFET的優(yōu)越性于一身，包括更出色的輕載效率、更低柵極電荷、易于應(yīng)用和出眾的可靠性等。此外，該產(chǎn)品具備更低單位面積通態(tài)電阻和更低容性開關(guān)損耗，允許輕松控制開關(guān)行為，并且提供了當(dāng)前市場上最結(jié)實(shí)耐用的體二極管。相比于前代產(chǎn)品600V CFD，新推出的CoolMOS™ CFD2產(chǎn)品還降低了系統(tǒng)成本?？傮w而言，它是適用于諧振開關(guān)拓?fù)涞淖顑?yōu)選擇。

　　英飛凌預(yù)計(jì)，650V CoolMOS™ CFD2的最大潛在市場包括太陽能逆變器、服務(wù)器、照明裝置和用于通信系統(tǒng)的開關(guān)電源(SMPS)等。

　　英飛凌科技高壓MOS產(chǎn)品線經(jīng)理Jan-Willem Reynaerts指出，“憑借我們具有革命意義的CoolMOS™技術(shù)，英飛凌已成為能效及功率密度方面的市場領(lǐng)袖。650V CFD2解決方案進(jìn)一步壯大了CoolMOS™產(chǎn)品陣營，并且設(shè)立了新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，例如，將光伏逆變器的效率提高至98.1%。”

　　供貨情況及定價(jià)

　　IPW65R080CFD(650V、導(dǎo)通電阻80毫歐姆、TO247封裝)樣片現(xiàn)已開始供貨。起訂量為1萬顆時(shí)，單價(jià)為6.00美元。

　　英飛凌650V CoolMOS™ CFD2已在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上精彩亮相(12號展廳404號展臺)。

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