飛思卡爾公司擴大了用于WiMAX基站的射頻功率

晶體管的選擇范圍
 
無線基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)的首款LDMOS晶體管的目標(biāo)是滿足最高頻率
達3.8 GHz的WiMAX的嚴(yán)格要求
 
 
 
采用其第七代高壓(HV7)射頻LDMOS技術(shù)，飛思卡爾半導(dǎo)體公司(FreescaleSemiconductor)（紐約證券交易所：FSL）（紐約證券交易所：FSL.B）已經(jīng)實現(xiàn)了在3.5 GHz頻帶上運行的WiMAX基站所需的射頻功率放大器性能。飛思卡爾公司的成功標(biāo)志著制造商首次解決了射頻外側(cè)擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（RF Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，LDMOS）技術(shù)所遇的技術(shù)難題。
 
飛思卡爾公司已經(jīng)開始供應(yīng)12V砷化鎵假晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)產(chǎn)品組合，其計劃繼續(xù)開發(fā)高壓砷化鎵PHEMT技術(shù)，從而能夠生產(chǎn)出更高性能的砷化鎵設(shè)備，以供WiMAX系統(tǒng)設(shè)計與其他頻帶在2 GHz至6 GHz之間的設(shè)備使用。
 
通過在射頻LDMOS和砷化鎵PHEMT技術(shù)中提供功率晶體管，飛思卡爾公司的射頻解決方案事實上能夠支持任何一種高功率無線基礎(chǔ)設(shè)施——LDMOS性能最高可達3.8 GHz，砷化鎵PHEMT性能最高可達6 GHz。
 
飛思卡爾公司副總裁兼射頻事業(yè)部總經(jīng)理Gavin P. Woods說道：“憑借HV7 RF LDMOS技術(shù)所取得的最新進步，飛思卡爾公司現(xiàn)在處于有利位置，能夠為未來的WiMAX以及其他高頻率市場提供服務(wù)。我們的高壓砷化鎵技術(shù)開發(fā)將會繼續(xù)提供市場中所有競爭產(chǎn)品中最高水平的效率，并且將我們的基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備擴展到6 GHz范圍。”
 
 
WiMAX：要求嚴(yán)格
 
WiMAX系統(tǒng)使用64正交調(diào)幅(QAM)直交分頻多路調(diào)制(OFDM)信號。QAM OFDM信號處理為功率放大器設(shè)計帶來了獨特挑戰(zhàn)。后端的射頻功率晶體管線性非常關(guān)鍵，不僅在于它的頻譜構(gòu)成了掩蔽要求，而且在于正交構(gòu)成了EVM（誤差向量大?。┮?。在這項聲明發(fā)布之前，硅LDMOS技術(shù)在3.5 GHz頻帶下無法提供可接受的射頻功率性能水平。這意味著像是砷化鎵PHEMT這樣的化合物半導(dǎo)體設(shè)備是設(shè)計師們的唯一選擇。飛思卡爾公司先進的3.5 GHz HV7 LDMOS設(shè)備現(xiàn)在能夠提供WiMAX系統(tǒng)所需的效率、線性與EVM性能，設(shè)計師從此能夠在化合物半導(dǎo)體與硅LDMOS之間進行選擇。
 
 
 
HV7 RF LDMOS供應(yīng)情況
 
首批3.5 GHz LDMOS設(shè)備樣品目前已經(jīng)供應(yīng)市場。MRF7S38075H是一款75瓦P1dB射頻晶體管，平均功率為42dBm (16W)，能夠滿足3.5 GHz基帶上的WiMAX性能要求。除此之外，40瓦和10瓦P1dB 3.5 GHz設(shè)備也預(yù)計將于2006年2月供應(yīng)市場。這三款先進的LDMOS設(shè)備使得飛思卡爾公司現(xiàn)有的射頻功率晶體管的產(chǎn)品組合趨于完美，而且均以新出現(xiàn)的2.3、2.5和3.5 GHz基帶的WiMAX/WiBRO為市場目標(biāo)。
 
 
高壓砷化鎵供應(yīng)情況
 
先進的HV7 LDMOS設(shè)備是用于3.5 GHz WiMAX應(yīng)用的12V砷化鎵PHEMT設(shè)備的有益補充，當(dāng)前正在開發(fā)的新款高壓砷化鎵設(shè)備將能夠在最高達6 GHz的頻帶下運行。這使得它們成為了在上述頻帶范圍上運行的WiMAX及其他無線設(shè)備的最佳選擇。砷化鎵設(shè)備的工作電壓超過20伏，輸出功率高達100瓦，能夠滿足數(shù)字調(diào)制系統(tǒng)的嚴(yán)格要求。
 
飛思卡爾公司首款高壓砷化鎵PHEMT設(shè)備樣品預(yù)計將于2006年第三季度面世。