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          三星晶圓代工28納米低功率制程通過(guò)認(rèn)證
          
						
          —— 準(zhǔn)備導(dǎo)入正式量產(chǎn)
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2011-06-08
				來(lái)源：DigiTimes
				
				
				
				
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          　　韓國(guó)半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)于美國(guó)時(shí)間6日發(fā)出新聞稿表示，該公司旗下晶圓代工部門之28納米低功率(low-power;LP)、高介電/金屬閘極 (high-k metal gate)制程已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證，目前已準(zhǔn)備好可以導(dǎo)入正式投產(chǎn)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/120145.htm

          　　此外，三星電子也提供28納米LPH高介電/金屬閘極制程科技服務(wù)。據(jù)悉，28納米LPH制程是特別開(kāi)發(fā)用來(lái)打造運(yùn)算速度超過(guò)2GHz的行動(dòng)裝置應(yīng)用。
          

          　　三星表示，28納米LPH制程科技可望降低6成以上的耗電量，或者是在與45納米LP系統(tǒng)單芯片制程設(shè)計(jì)比較時(shí)，可望提高55%以上的運(yùn)算效能。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            三星
                        晶圓代工
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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