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          2011全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增長(zhǎng)10.2%

          作者: 時(shí)間:2011-06-16 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

                  全球技術(shù)研究和咨詢(xún)公司指出,2011年全球資本設(shè)備支出將達(dá)到448億美元,與2010年406億美元的支出相比,增長(zhǎng)10.2%。 然而,分析師也指出,庫(kù)存出現(xiàn)修正,再加上晶圓設(shè)備制造供過(guò)于求,將導(dǎo)致2012年資本設(shè)備支出略有下滑。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/120492.htm

                  執(zhí)行副總裁Klaus Rinnen表示:“盡管日本的災(zāi)難性地震威脅將破壞電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈,但自我們?cè)?011年第一季度的預(yù)測(cè)以來(lái),資本支出和設(shè)備格局變化不大。由于日本廠商艱巨的努力,此次地震的影響已降低到最小程度。”

                  半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的所有領(lǐng)域預(yù)計(jì)都將在2011年呈現(xiàn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)(見(jiàn)表一)。Gartner分析師表示,2011年的支出是由積極的晶圓設(shè)備制造支出,處于領(lǐng)先的集成設(shè)備制造商(IDM)邏輯能力的加速生產(chǎn),以及內(nèi)存公司加速雙重曝光等因素推動(dòng)的。2012年,半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將下滑2.6%,隨后將在2013年增長(zhǎng)8.9%。隨著內(nèi)存供過(guò)于求的影響,周期性的下跌應(yīng)該在2013年底出現(xiàn)。

          表一:2009-2015年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出預(yù)測(cè)(單位:百萬(wàn)美元)

           

          2009

          2010

          2011

          2012

          2013

          2014

          2015

          半導(dǎo)體資本設(shè)備支出

          25,876.3

          56,154.3

          62,838.0

          61,178.1

          66,605.3

          56,532.8

          64,257.8

          增長(zhǎng)率 (%)

          -41.2

          117.0

          11.9

          -2.6

          8.9

          -15.1

          13.7

          資本設(shè)備

          16,742.5

          40,639.1

          44,765.1

          42,052.3

          46,477.4

          38,925.5

          45,675.9

          增長(zhǎng)率 (%)

          -45.4

          142.7

          10.2

          -6.1

          10.5

          -16.2

          17.3

          晶圓制造設(shè)備

          12,884.2

          31,624.7

          35,332.6

          34,180.0

          37,097.5

          31,188.7

          35,780.6

          增長(zhǎng)率 (%)

          -46.8

          145.5

          11.7

          -3.3

          8.5

          -15.9

          14.7

          封裝設(shè)備

          2,708.5

          6,154.6

          6,373.9

          5,386.5

          6,333.3

          5,422.7

          6,827.2

          增長(zhǎng)率(%)

          -32.3

          127.2

          3.6

          -15.5

          17.6

          -14.4

          25.9

          自動(dòng)測(cè)試設(shè)備

          1,149.8

          2,859.8

          3,058.6

          2,485.9

          3,046.5

          2,314.1

          3,068.0

          增長(zhǎng)率 (%)

          -53.0

          148.7

          6.9

          -18.7

          22.6

          -24.0

          32.6

          其它支出

          9,133.7

          15,515.1

          18,072.9

          19,125.8

          20,128.0

          17,607.2

          18,581.9

          增長(zhǎng)率 (%)

          -31.8

          69.9

          16.5

          5.8

          5.2

          -12.5

          5.5


                  隨著半導(dǎo)體的持續(xù)增長(zhǎng),2011年全球晶圓制造設(shè)備(WFE)收入預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)11.7%。英特爾、晶圓和NAND支出將推動(dòng)先進(jìn)設(shè)備的需求,從而沉浸式光刻(immersion lithography)、蝕刻(etch)、雙重曝光中涉及的某些領(lǐng)域以及關(guān)鍵領(lǐng)先的邏輯制程將會(huì)受益。

                  2011年全球封裝設(shè)備(PAE)收入的增長(zhǎng)預(yù)計(jì)最低,為3.6%。后端制造商在2010年實(shí)現(xiàn)了可觀的增長(zhǎng),但市場(chǎng)于去年第四季度開(kāi)始放緩。隨著供需趨向平衡,訂單也已經(jīng)放緩。從后端工藝提供商的資本支出的角度來(lái)說(shuō),適用于低成本解決方案的3D包裝和銅線(xiàn)綁定是目前主要的側(cè)重點(diǎn)。絕大多數(shù)主要工具領(lǐng)域?qū)⒃?011年出現(xiàn)增長(zhǎng),但先進(jìn)的模具表現(xiàn)應(yīng)在今年超越總體市場(chǎng)。

                  2011年,全球自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)6.9%。Gartner2011年的增長(zhǎng)預(yù)期是由片上系統(tǒng)和先進(jìn)的射頻等細(xì)分領(lǐng)域的持續(xù)需求所推動(dòng)的。隨著DRAM的資本支出軟著陸,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備內(nèi)存收入很有可能在2011年回落。然而,NAND測(cè)試平臺(tái)在今年仍舊保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)。



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