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          Mobile RAM防線恐失守

          —— DRAM廠避風港瀕臨潰堤
          作者: 時間:2011-06-20 來源:DigiTimes 收藏

            行動裝置風潮崛起使得PC 需求式微,自2011年起包括Mobile RAM、服務器等,儼然已成為廠最佳避風港,然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下,Mobile RAM已率先發(fā)難,出現(xiàn)供過于求警訊,日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉回作PC DRAM,加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn),DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風港困境。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/120602.htm

            存儲器業(yè)者表示,PC市場成長趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷,而平板計算機崛起讓每臺系統(tǒng)DRAM存儲器消耗量減少50%,更成為壓垮DRAM產(chǎn)業(yè)最后一根稻草,DRAM廠為因應智能型手機、平板計算機、云端運算等趨勢潮流,紛尋求避風港,轉型生產(chǎn)Mobile RAM、服務器DRAM等,避開PC DRAM產(chǎn)品線。

            不過,隨著DRAM廠一窩蜂轉進Mobile RAM領域,近期已出現(xiàn)后遺癥,由于蘋果(Apple)Mobile RAM最大供應商爾必達感受到客戶訂單趨緩,被迫減少Mobile RAM投片量,將廣島12寸廠部分產(chǎn)能轉移到PC DRAM產(chǎn)品上,為Mobile RAM恐步上供過于求后塵敲響警鐘。

            值得注意的是,現(xiàn)階段PC DRAM市況亦相當慘烈,即使是DRAM廠紛陸續(xù)把產(chǎn)能轉走,仍舊無法逆轉PC DRAM產(chǎn)業(yè)供過于求情況,16日2Gb容量DDR3芯片再度出現(xiàn)崩跌,不論是品牌或eTT芯片都面臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn),加上6月底季底壓力逼近及終端需求不佳,都將讓DDR3價格持續(xù)探底,如今傳出存儲器大廠將Mobile RAM產(chǎn)能轉回生產(chǎn)PC DRAM,恐將對后續(xù)市況更雪上加霜。

            DRAM廠表示,2Gb容量DDR3芯片1.5美元價格若失守,代表現(xiàn)在正努力轉進40納米制程的所有DRAM廠,就算采用40納米制程生產(chǎn),都還是處于賠錢狀態(tài),尤其臺系DRAM廠制程進度較慢,更將陷入進退維谷窘境。

            事實上,DRAM廠原本認為Mobile RAM等利基型產(chǎn)品是最佳避風港,但避風港的市場胃納量相當有限,加上平板計算機買氣不如預期樂觀,Mobile RAM出現(xiàn)供過于求警訊并不令業(yè)者意外。至于服務器DRAM方面,由于技術門檻不如外界想象中容易,雖然云端商機帶動服務器需求大增,但這亦是兵家必爭之地,欲有效成為DRAM廠避風港,難度恐不低。

            存儲器業(yè)者指出,現(xiàn)在DRAM產(chǎn)業(yè)情況是沒有任何一項產(chǎn)品線可獨撐大局,各廠經(jīng)營型態(tài)逐漸轉變成復合式的精品店,不論是PC DRAM、Mobile RAM、服務器DRAM、消費性DRAM等都要作,在產(chǎn)能調配上必須具備靈活性和彈性,才能適應變化快速的市場趨勢。

            另外,無論DRAM廠怎么轉型,未來趨勢都是緊跟著行動裝置市場,但臺廠卻沒有 Flash產(chǎn)品線,讓臺廠相較于國際大廠競爭力大大減少,臺廠雖已有力晶、旺宏投入 Flash開發(fā),但實力仍差國際大廠一大截,轉型之路恐仍長路漫漫。



          關鍵詞: DRAM NAND

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