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          爾必達(dá)宣布開(kāi)始銷售DDR3 DRAM樣品芯片
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2011-06-29
				來(lái)源：DigiTimes
				
				
				
				
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          　　日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開(kāi)始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過(guò)TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/120885.htm

          　　爾必達(dá)公司自2004年起便開(kāi)始研發(fā)TSV技術(shù)，當(dāng)時(shí)他們是在獲得日本政府主導(dǎo)的新能源及工業(yè)技術(shù)發(fā)展協(xié)會(huì)(New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO))資金支援的條件下開(kāi)始有關(guān)技術(shù)的研發(fā)的。爾必達(dá)公司隨后便一直在繼續(xù)進(jìn)行有關(guān)的技術(shù)開(kāi)發(fā)工作。公司還宣稱早在09年，爾必達(dá)便已經(jīng)成功研發(fā)出了業(yè)內(nèi)首款基于TSV技術(shù)以及1Gb DDR3 SGRAM的產(chǎn)品。
          

          　　至于筆記本產(chǎn)品上的應(yīng)用方面，爾必達(dá)則認(rèn)為這次宣布銷售的樣品芯片相比傳統(tǒng)筆記本用SODIMM內(nèi)存更加省電，產(chǎn)品的工作電壓下降了20%，待機(jī)能耗降低了50%，而且芯片封裝后的面積也下降了70%。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            爾必達(dá)
                        DRAM
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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