Kilopass把單次可編程型NVM專利授權給中芯國際

　　非易失性存儲芯片(NVM)專利廠商Kilopass公司本周二宣布，將把自己一項有關單次可編程型NVM產品專利授權給中芯國際使用，中芯國際將使用55nm制程技術制造使用這項專利技術的NVM存儲芯片。

　　Kilopass同時表示，他們已經成功完成了基于中芯國際65nm制程產品的流片設計工作，兩家公司自2005年起便建立了合作關系，當時Kilopass剛剛把其單次可編程NVM芯片的技術專利授權給中芯國際制造180nm制程產品。隨后，Kilopass依次又將有關的技術授權給了中芯130nm，90nm，65nm級別制程的產品。

　　據Kilopass稱，中芯國際的客戶需要將這種NVM芯片嵌入到多媒體處理器，MCU，RFID IC射頻識別芯片中去，以儲存數據，自舉代碼，芯片ID等數據。

　　“很高興看到中芯國際愿意繼續(xù)在55nm制程產品上與我們合作研發(fā)NVM存儲芯片技術。將制程由65nm進化到55nm后，芯片的面積和生產成本都將減小20%，而且不需要重新設計掩膜板，這對提高SOC芯片產品的競爭力而言非常有益。”

　　另據Kilopass宣稱，其授權的雙晶體管型反熔絲(2T antifuse)專利技術目前為止已經被使用在20億片采用單次可編程型NVM存儲技術解決方案的芯片產品上，這種專利技術只需要使用標準的CMOS邏輯電路即可構建，不需要變動掩膜板設計，芯片的制造工序/制造用設備等也可以保持不變。

　　PS:反熔絲技術(antifuse)是一種金屬間的可編程互連組件,與消費電子領域常見的閃存技術在晶體管結構上有所區(qū)別，但均可用于存儲數據。反熔絲一般處于開路狀態(tài)，且當編程后就形成一個永久性的無源低阻抗連接。由于對反熔絲編程需要多個高壓脈沖，因此，高能粒子不可能改變其編程狀態(tài)。