Vishay將在Techno-Frontier 2011上展示領先技術

        日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，將參加2011年7月20至22日在Tokyo Big Sight舉行的Power System Japan展覽會，展示其最新的技術方案。該展會是Techno-Frontier 2011（2011日本電子、機械零配件及材料博覽會）在電源系統(tǒng)方面的專業(yè)展覽。Vishay展位號3T-211，Vishay的大批業(yè)內領先的半導體和無源電子元件將集中亮相。觀眾可了解Vishay的領先解決方案如何幫助設計者在各種各樣的應用中滿足其對節(jié)省空間和提高效率的特定需求。

Vishay在Techno-Frontier 2011上展示的產品線如下。

電阻：Vishay將重點展示采用霍爾效應技術的新型無觸點傳感器，這種傳感器在20G的高頻振動和50G的沖擊情況下依然具有高性能。除用于功率計和電池管理應用的大電流Power Metal Strip®分流電阻外，包括專業(yè)汽車薄膜芯片電阻在內的獨創(chuàng)SMD電阻方案將同臺展出。

電感器：針對各種終端產品中的電壓調節(jié)模塊（VRM）和DC-DC轉換器應用，Vishay將展示業(yè)內最小的和最大的SMD復合電感器，以及業(yè)內最薄的大電流電感器。

電容器：Vishay ESTA功率電容器將出現(xiàn)在展臺上，同時展出的還有DC-link聚丙烯薄膜電容器，及針對極為重要的醫(yī)療和軍工/航天應用提供威布爾失效率分級等篩選選項的高可靠性MicroTan®鉭電容器。

二極管：Vishay將展出一系列為太陽能電池旁路保護、照明應用、桌面電源和更多其他應用而優(yōu)化的新款二極管。展示的重點包括45 V TMBS®系列整流器，采用功率封裝的200V和600V FRED Pt®極快和超快整流器，小尺寸、SMD標準的快速和超快雪崩整流器，采用D-PAK封裝的200V和600V FRED Pt極快和超快整流器，以及低正向壓降的橋式整流器。

MOSFET：Vishay節(jié)省空間的PowerPAIR®解決方案將出現(xiàn)在展臺上，該產品集成了多個最優(yōu)的低壓MOSFET，可取代傳統(tǒng)的分立式解決方案。其他產品還有采用PowerPAK® SO-8封裝、具有低導通電阻的下一代40V～100V MOSFET，以及采用兼具超低導通電阻和對雪崩性能進行100%測試的Super Junction技術的高壓MOSFET。

功率IC：Vishay的高精度模擬復用器系列將被展出，此外還有節(jié)省空間、提高效率的集成同步降壓穩(wěn)壓器和DrMOS集成功率級。

光電子：重點展示的產品包括IGBT和MOSFET驅動，此外還有業(yè)界首款在一個小尺寸3.95mm x 3.95mm x 0.75mm的無引線、表面貼裝封裝內集成紅外發(fā)射器、PIN光敏二極管、環(huán)境光探測器、信號處理IC和16位ADC的接近和環(huán)境光光學傳感器。