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          IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓
          
						
          —— 利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2011-07-20
				來源：技術(shù)在線
				
				
				
				
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          　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/121575.htm

          　　IMEC于2011年3月導(dǎo)入了曝光裝置單機(jī)和EUV光源，設(shè)置于研究設(shè)施內(nèi)并進(jìn)行了調(diào)整和測(cè)試?，F(xiàn)在已與東電電子(TEL)的涂布顯影裝置“Lithius Pro”(用于EUV工序)連接。IMEC表示，“吞吐量為ASML公司曝光工藝評(píng)測(cè)用(Alpha Demo Tool ：ADT)EUV曝光裝置的20倍，計(jì)劃在2012年初期實(shí)現(xiàn)100W的光源輸出功率和60張/小時(shí)的吞吐量”。重疊精度方面，根據(jù)此次的成果確認(rèn)了具有達(dá)到目標(biāo)的4nm以下的潛在能力。分辨率在使用偶極照明時(shí)可達(dá)到20nm以下，對(duì)于IMEC的目標(biāo)——2013年確立分辨率達(dá)到16nm的量產(chǎn)技術(shù)來說，此次成果具有里程碑的意義。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            EUV
                        晶圓
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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