德州儀器PowerStack封裝技術(shù)投入量產(chǎn)
—— 新技術(shù)以獨一無二的堆棧方法將組合封裝技術(shù)推向新的高度，可為電源設(shè)計人員帶來 2D 到 3D 集成
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TI 模擬封裝部 Matt Romig 指出：“為實現(xiàn)寬帶移動視頻與 4G 通信等更多內(nèi)容，計算應(yīng)用的性能需求不斷提升。與此同時，也出現(xiàn)了電信與計算設(shè)備的小型化需求。通過從 2D 到 3D 集成的真正革命，PowerStack 可幫助 TI 客戶充分滿足這些需求。”
PowerStack 技術(shù)的優(yōu)勢是通過創(chuàng)新型封裝方法實現(xiàn)的，即在接地引腳框架上堆棧 TI NexFET(TM) 功率 MOSFET，并采用兩個銅彈片連接輸入輸出電壓引腳。這種堆棧與彈片焊接的獨特組合可實現(xiàn)更高集成的無引線四方扁平封裝 (QFN) 解決方案。
通過 PowerStack 技術(shù)堆棧 MOSFET，最明顯的優(yōu)勢是可使封裝尺寸比并排排列 MOSFET 的其它解決方案銳減達 50%。除降低板級空間之外，PowerStack 封裝技術(shù)還可為電源管理器件提供優(yōu)異的熱性能、更高的電流性能與效率。
TechSearch 國際創(chuàng)始人兼總裁 Jan Vardaman 表示：“PowerStack 是我在電源市場所見過的首項具有如此強大功能的封裝技術(shù)，3D 封裝解決方案的勢頭在不斷加強，該技術(shù)將是解決各種當前及新一代設(shè)計挑戰(zhàn)的理想選擇。”
PowerStack 現(xiàn)已在 TI Clark 廠投入量產(chǎn)。
TI 菲律賓公司總經(jīng)理 Bing Viera 指出：“Clark 是我們位于菲律賓的、業(yè)界一流的最新封測廠。今年，我們將進一步提升 Clark 高級封裝技術(shù)的產(chǎn)能，到第三季度該廠初期產(chǎn)能將提高近 1 倍。”
通過領(lǐng)先封裝技術(shù)推進模擬發(fā)展
PowerStack 封裝技術(shù)再次凸顯了 TI 在封裝領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)，其可為在更低成本下要求更高功率密度、可靠性以及性能的應(yīng)用實現(xiàn)更進一步的發(fā)展。TI 擁有數(shù)十年的豐富封裝專業(yè)技術(shù)經(jīng)驗，可為成千上萬種豐富產(chǎn)品、封裝配置與技術(shù)提供支持，從而可為模擬市場提供最豐富的封裝組合。
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