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          艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用
          
						
          —— 基于多柵晶體管技術(shù)以及其器件模型的研究已成為當(dāng)今的熱點(diǎn)
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2011-08-05
				來源：中電網(wǎng)
				
				
				
				
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          　　艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/122150.htm

          　　今年的IEEE國際絕緣體上硅大會(huì)將成為工程師和科學(xué)家們分享和了解硅絕緣體上硅以及多柵CMOS技術(shù)最新趨勢(shì)的盛會(huì)。隨著近期英特爾宣布成功開發(fā)出世界上首個(gè)多柵(三柵)晶體管，并將此技術(shù)應(yīng)用于其下代22nm工藝中，基于多柵晶體管技術(shù)以及其器件模型的研究已成為當(dāng)今的熱點(diǎn)。
          

          　　艾克賽利公司首席科學(xué)家陳強(qiáng)(Brian Chen)博士受邀在此次大會(huì)做主題為 "An Exercise of ET/UTBB SOI CMOS Modeling and Simulation with BSIM-IMG" 的演講。陳博士將介紹艾克賽利及其合作伙伴對(duì)于BSIM-IMG模型探索性的應(yīng)用情況。模型參數(shù)是基于20nm工藝的實(shí)際數(shù)據(jù)，在艾克賽利公司旗艦產(chǎn)品MBP中提取完成的，最終的模型在不同電路中進(jìn)行了驗(yàn)證。
          

          　　此項(xiàng)研究工作是艾克賽利與其合作伙伴共同完成的，包括美國加州大學(xué)伯克利分校，法國Soitec公司以及法國CEA – LETI公司。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            艾克賽利
                        CMOS
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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