晶體管也玩立體化 Intel Ivy Bridge前景樂觀

　　3-DTri-Gate使用一個(gè)非常薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)二維晶體管上的平面柵極，形象地說就是從硅基底上站了起來。硅鰭片的三個(gè)面都安排了一個(gè)柵極，其中兩側(cè)各一個(gè)、頂面一個(gè)，用于輔助電流控制，而2-D二維晶體管只在頂部有一個(gè)。由于這些硅鰭片都是垂直的，晶體管可以更加緊密地靠在一起，從而大大提高晶體管密度。

　　通過使用3D晶體管，芯片可以在低電壓和低泄露下運(yùn)行，從而使性能和能耗取得大幅改進(jìn)。在低電壓條件下，22納米的3-DTri-Gate晶體管比英特爾32納米平面晶體管性能提高37%。這意味著它能用在許多小的手持設(shè)備中。另外，在相同的性能條件下，新的晶體管耗電不及2D平板晶體管、32納米芯片的一半。

　　據(jù)Intel方面透露，22納米的芯片性能比現(xiàn)在的32納米芯片更高。為了擴(kuò)大制程技術(shù)的優(yōu)勢，趕上移動(dòng)競賽，上個(gè)月英特爾將2011年資本開支提高到102億美元，原定數(shù)額為90億美元，目的是落實(shí)12納米制程的開發(fā)。

　　目前，Intel的IvyBridge還未進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)，但Intel也表示IvyBridge可能會(huì)提前發(fā)布，目的在于對(duì)抗即將上市的推土機(jī)。從產(chǎn)品技術(shù)方面來看，IvyBridge并沒有過多出彩的地方，僅僅是SandyBridge的升級(jí)版本;而從工藝角度講，IvyBridge所基于22nm的3-DTri-Gate晶體管則是首次應(yīng)用到實(shí)際產(chǎn)品中，也是晶體管發(fā)展的一場革命。不過從當(dāng)前的一些資料來看，IvyBridge工程樣板的測試中功耗表現(xiàn)并不突出，看來還需要進(jìn)一步優(yōu)化。

　　而至截稿之前的最新消息顯示，Intel將于2012年3月份到4月份期間正式推出下一代SocketLGA1155插槽22納米IvyBridge處理器，并且在最新的Roadmap中已有顯示。推土機(jī)性能到底如何，IvyBridge能否提前到來，讓我們拭目以待吧!