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晶體管
晶體管 文章 進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)
功放的ABCD類(lèi)
- 1、純Class A（甲類(lèi)）功率放大器純甲類(lèi)功率放大器又稱(chēng)為A類(lèi)功率放大器（Class A），它是一種完全的線性放大形式的放大器。在純甲類(lèi)功率放大器工作時(shí)，晶體管的正負(fù)通道不論有或沒(méi)有信號(hào)都處于常開(kāi)狀態(tài)，這就意味著更多的功率消耗為熱量。純甲類(lèi)功率放大器在汽車(chē)音響的應(yīng)用中比較少見(jiàn)，像意大利的Sinfoni高品質(zhì)系列才有這類(lèi)功率放大器。這是因?yàn)榧兗最?lèi)功率放大器的效率非常低，通常只有20-30%，音響發(fā)燒友們對(duì)它的聲音表現(xiàn)津津樂(lè)道。小信號(hào)放大器主要包括：共射極放大器、共基極放大器、共集極放大器，如果這種小信號(hào)放
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 模擬電路 晶體管
麻省理工學(xué)院：新型晶體管以納秒級(jí)速度開(kāi)關(guān)
- 新的晶體管技術(shù)可能會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品產(chǎn)生重大影響。
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基于運(yùn)算放大器和晶體管的模擬方波發(fā)生器設(shè)計(jì)
- 模擬振蕩器電路通常用于產(chǎn)生用于同步電路定時(shí)的方波時(shí)鐘信號(hào)。本文介紹了模擬方波發(fā)生器的理論、設(shè)計(jì)和關(guān)鍵特性。許多電子系統(tǒng)需要定時(shí)機(jī)制。這通常是通過(guò)時(shí)鐘信號(hào)完成的，時(shí)鐘信號(hào)是特定頻率的方波。對(duì)于許多應(yīng)用，時(shí)鐘信號(hào)是通過(guò)方波振蕩器在系統(tǒng)內(nèi)生成的。然而，該方波信號(hào)也可以作為系統(tǒng)的輸入。由于許多模擬和數(shù)字電路都可以用作方波振蕩器，我們的目標(biāo)是涵蓋這兩種類(lèi)型；然而，在本文中，我們將討論模擬振蕩器的設(shè)計(jì)，介紹它們的工作原理，并回顧它們的優(yōu)缺點(diǎn)。使用可調(diào)多諧振蕩器的運(yùn)算放大器方波發(fā)生器我們將研究的第一個(gè)電路是一個(gè)稱(chēng)為非穩(wěn)
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晶體管施密特觸發(fā)器工作原理，圖文+實(shí)際案例
- 今天給大家分享的是：晶體管施密特觸發(fā)器工作原理。施密特觸發(fā)器是一種邏輯輸入類(lèi)型，可為上升沿和下降沿提供遲滯或兩個(gè)不同的閾值電壓電平。當(dāng)我們想要從有噪聲的輸入信號(hào)中獲取方波信號(hào)時(shí)，使用晶體管施密特觸發(fā)器，可以避免錯(cuò)誤。晶體管施密特觸發(fā)器電路包含 2 個(gè)晶體管和 5 個(gè)電阻，為了更好的地解釋原理，下面直接分析電路。晶體管施密特觸發(fā)器工作原理假設(shè) Uin 輸入為0V，意味著晶體管 T1 截止且不導(dǎo)通。另一方面，晶體管 T2 導(dǎo)通，因?yàn)?B 節(jié)點(diǎn)處的電壓約為 1.98V，我們可以將電路的這一部分視為分壓
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還不會(huì)設(shè)計(jì)晶體管施密特觸發(fā)器？不要錯(cuò)過(guò)
- 今天給大家分享的是晶體管施密特觸發(fā)電路設(shè)計(jì)。主要是關(guān)于：1、晶體管搭建的施密特觸發(fā)器2、如何設(shè)計(jì)晶體管施密特觸發(fā)電路？3、怎么改進(jìn)晶體管施密特觸發(fā)電路一、施密特觸發(fā)器有什么作用？施密特觸發(fā)器是一個(gè)決策電路，用于將緩慢變化的模擬信號(hào)電壓轉(zhuǎn)換為2 種可能的二進(jìn)制狀態(tài)之一，具體取決于模擬電壓是高于還是低于預(yù)設(shè)閾值。二、不能用 CMOS 來(lái)設(shè)計(jì)施密特觸發(fā)器嗎？CMOS器件CMOS 器件可以用來(lái)設(shè)計(jì)施密特觸發(fā)器，但是不能選擇閾值電壓，只能在有限的電源電壓范圍內(nèi)工作，例如：4HC14 在 +5v 下運(yùn)行，閾值通常為
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使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫(kù)中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級(jí)SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后，我們將使用下載的模型對(duì)NMOS晶體管進(jìn)
- 關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
幾年的原理圖沒(méi)白干，總結(jié)了這么多晶體管的應(yīng)用知識(shí)~
- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類(lèi)似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
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一文讀懂｜晶體管是怎么來(lái)的
- 現(xiàn)在，3nm制程工藝的CPU已經(jīng)在大面積使用了。那么，你知道芯片里面這個(gè)3nm晶體管是怎么來(lái)的嗎？它到底有什么神奇功能？1. 1948年、在貝爾電話(huà)研究所誕生1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速發(fā)展。正因?yàn)樗绱说刎S富了人們的生活，就其貢獻(xiàn)度而言，作為發(fā)明者的3位物理學(xué)家 —— 肖克萊博士、巴丁博士和布拉頓博士，當(dāng)之無(wú)愧地獲得了諾貝爾獎(jiǎng)?？峙陆窈蟮陌l(fā)明都難以與晶體管的發(fā)明相提并論?？傊?，晶體管為現(xiàn)代
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研究人員開(kāi)發(fā)出新型 2D 晶體管，可模仿蝗蟲(chóng)大腦實(shí)現(xiàn)避障
- IT之家 4 月 23 日消息，印度理工學(xué)院孟買(mǎi)分校和倫敦國(guó)王學(xué)院的研究人員合作開(kāi)發(fā)了一種超低功耗的二維晶體管，能夠模擬蝗蟲(chóng)的神經(jīng)元來(lái)實(shí)現(xiàn)避障功能，有望降低未來(lái)人工智能的能源消耗。圖源 Pexels自動(dòng)駕駛和機(jī)器人自主移動(dòng)一直是機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能研發(fā)人員夢(mèng)寐以求的目標(biāo)，而避障則是這項(xiàng)技術(shù)能否在現(xiàn)實(shí)世界落地應(yīng)用的關(guān)鍵。為此，雙方研究人員致力于創(chuàng)造一種能以極低功耗實(shí)現(xiàn)避障的解決方案。研究人員在研究避障行為時(shí)，發(fā)現(xiàn)蝗蟲(chóng)身上有一種名為“小葉巨人運(yùn)動(dòng)檢測(cè)器 (LGMD)”的神經(jīng)元，當(dāng)大型物體接近蝗蟲(chóng)時(shí)，該
- 關(guān)鍵字： 晶體管 人工智能
通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)
- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類(lèi)似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
- 關(guān)鍵字： 晶體管 BJT MOSFET
基礎(chǔ)知識(shí)之晶體管
- 一、晶體管的功能晶體管具有放大和開(kāi)關(guān)電信號(hào)的功能。 比如在收音機(jī)中，會(huì)擴(kuò)大（放大）空中傳輸過(guò)來(lái)的非常微弱的信號(hào)，并通過(guò)揚(yáng)聲器播放出來(lái)。這就是晶體管的放大作用。 另外，晶體管還能僅在事先確定的信號(hào)到達(dá)時(shí)才工作，這時(shí)發(fā)揮的是開(kāi)關(guān)作用。 我們常聽(tīng)到的“IC”也好“LSI”也好，都是晶體管的集合體，是晶體管構(gòu)成了其功能的基礎(chǔ)?！揪w管的基本功能示意圖】作為開(kāi)關(guān)使用的晶體管下面通過(guò)發(fā)射極接地時(shí)的開(kāi)關(guān)工作來(lái)介紹起到開(kāi)關(guān)作用的晶體管。當(dāng)晶體管的基極引腳被施加電壓（約0.7V以上）并流過(guò)微小電流時(shí)，晶體管會(huì)導(dǎo)通，電流會(huì)在
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模擬集成電路設(shè)計(jì)中的MOSFET非理想性
- MOS晶體管表現(xiàn)出理想模型所沒(méi)有的各種二階效應(yīng)。為了設(shè)計(jì)在現(xiàn)實(shí)世界中工作的模擬集成電路，我們需要了解這些非理想因素。在上一篇文章中，我們介紹了基本的MOSFET結(jié)構(gòu)和工作區(qū)域。我們討論的模型描繪了一個(gè)理想的MOSFET，并且由于其較長(zhǎng)的溝道尺寸，對(duì)于早期的MOSFET來(lái)說(shuō)是相當(dāng)準(zhǔn)確的。然而，隨后的研究和晶體管的持續(xù)小型化都揭示了晶體管行為中的一系列非理想性。本文將介紹這些非理想性的基礎(chǔ)知識(shí)以及它們?nèi)绾斡绊懩M集成電路中的晶體管性能。寄生電容由于MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)，在端子結(jié)之間形成了以下寄生電容：CGS
- 關(guān)鍵字： MOSEFT 晶體管
萬(wàn)億級(jí)晶體管芯片之路
- 臺(tái)積電、英特爾都在規(guī)劃如何走向萬(wàn)億級(jí)晶體管。
- 關(guān)鍵字： 晶體管
必看！IGBT基礎(chǔ)知識(shí)匯總！
- 01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；（因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因?yàn)镸OS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì)導(dǎo)致Vds很大）IGBT綜合了以
- 關(guān)鍵字： IGBT 晶體管 基礎(chǔ)知識(shí)
晶體管介紹
【簡(jiǎn)介】
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]
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