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          Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET
          
						
          —— 創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2011-08-17
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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                  日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/122632.htm

                  新款SiB437EDKT可用做智能手機(jī)、MP3播放器、便攜式多媒體播放器、數(shù)碼相機(jī)、電子書和平板電腦等手持設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。器件的熱增強(qiáng)Thin PowerPAK® SC-75封裝占位面積小，超薄的高度只有0.65mm，能夠?qū)崿F(xiàn)更小、更薄的終端產(chǎn)品，而低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，節(jié)約能源，并在這些設(shè)備中最大化電池的運(yùn)行時(shí)間。
          

                  MOSFET可在1.5V和1.2V電壓下導(dǎo)通，能夠搭配手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動(dòng)和更低的總線電壓，從而省去了電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。在手持設(shè)備中電池電量較低，并且要求消耗盡可能少的能量時(shí)，這種MOSFET尤其有用。
          

                  SiB437EDKT在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有34m?、63m?、84m?和180m?的超低導(dǎo)通電阻。同樣采用1.6mmx1.6mm占位、高度小于0.8mm的最接近的P溝道器件在4.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻為37m?、65m?和100m?，這些數(shù)值分別比SiB437EDKT高8%、5%和16%。
          

                  SiB437EDKT經(jīng)過了100%的Rg測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護(hù)為2000V。
          

          

          
        新款SiB437EDKT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            Vishay
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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