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          Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎
          
						
          —— 被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2011-10-10
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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                  2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/124260.htm

                 《今日電子》的編輯從開創(chuàng)性的設(shè)計(jì)、在技術(shù)或應(yīng)用方面取得顯著進(jìn)步、性價(jià)比顯著提高三個(gè)方面，對前一年發(fā)布的數(shù)百款產(chǎn)品進(jìn)行評選。Vishay的SiR662DP功率MOSFET憑借在DC/DC應(yīng)用上的創(chuàng)新和成功示范，榮獲該獎項(xiàng)。
          

                 《今日電子》Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的頒獎儀式在9月8日北京國賓酒店舉行的2011電源技術(shù)研討會期間舉行。
          

          

          

          
        Vishay公司北京辦公室的銷售經(jīng)理Alice Wei代表Vishay領(lǐng)取該獎項(xiàng)。
          

                  SiR662DP的低導(dǎo)通電阻意味著更低的導(dǎo)通損耗，可降低能耗，尤其是重負(fù)載條件下，而低導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積(優(yōu)值系數(shù)，F(xiàn)OM)能夠降低高頻和開關(guān)應(yīng)用中的開關(guān)損耗，特別是在輕負(fù)載和待機(jī)模式下。器件的高效率使設(shè)計(jì)者能夠提高系統(tǒng)的功率密度，在更加綠色環(huán)保的解決方案中實(shí)現(xiàn)更低的功率損耗。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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