數(shù)字電源控制模擬控制能力

　　(圖字：占空比(標(biāo)稱值變化百分比)，損耗(W))

　　因此，由于占空比可以作為測(cè)量相對(duì)損耗的方法使用，可以在數(shù)字實(shí)現(xiàn)過程中改變參數(shù)，并對(duì)占空比的影響情況進(jìn)行監(jiān)測(cè)。如果占空比增加，則可以在相反的方向調(diào)整參數(shù)，可以減少占空比(和相對(duì)損耗)。

　　死區(qū)時(shí)間是高側(cè)FET關(guān)斷和低側(cè)FET導(dǎo)通之間的時(shí)間，反之亦然。如果死區(qū)時(shí)間過長(zhǎng)，體二極管導(dǎo)通代表可能會(huì)出現(xiàn)損耗。如果死區(qū)時(shí)間太短，那么就可能發(fā)生交叉導(dǎo)通，也引入了損耗，如圖11所示。

　　(圖字：損耗(W)，H-L延遲(ns))

　　在大多數(shù)設(shè)計(jì)中，最佳死區(qū)時(shí)間不是固定值。圖12顯示了幾種情況下低側(cè)柵極信號(hào)和開關(guān)節(jié)點(diǎn)的波形。上圖為60納秒時(shí)的固定死區(qū)時(shí)間。左上圖是電流為1安培的情況，右上圖是20安培負(fù)載電流的情況。請(qǐng)注意，也就是說，波形之間的相對(duì)差額在中電壓范圍。還要注意，在20安培情況下，開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓中有一些下沖，這表明死區(qū)時(shí)間過長(zhǎng)(導(dǎo)致體二極管導(dǎo)通)。

　　(圖字：Sw節(jié)點(diǎn)，LS門)

　　下圖有12納秒的固定死區(qū)時(shí)間。請(qǐng)注意，在這種情況下，在電流函數(shù)痕跡之間差別不大。因此，理想的死區(qū)時(shí)間可能無法由一定的電壓波形來確定。理想的死區(qū)時(shí)間很可能是負(fù)載電流的一個(gè)函數(shù)。請(qǐng)注意，開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓過沖說明有交叉導(dǎo)通，即這種情況說明死區(qū)時(shí)間太短。

　　圖13顯示了分別使用60納秒和28納秒最佳死區(qū)時(shí)間設(shè)置的1安培和20安培的波形。請(qǐng)注意，開關(guān)節(jié)點(diǎn)的下沖或過沖較少。

　　因?yàn)槲覀冎?，相?duì)損耗可以通過占空比測(cè)得，數(shù)字控制可以改變死區(qū)時(shí)間，同時(shí)觀察占空比，從而優(yōu)化了轉(zhuǎn)換器的效率。該算法可優(yōu)化隨負(fù)載變化，以及溫度變化，及器件老化的效率，得到最佳效率。