數(shù)字電源控制模擬控制能力

　　(圖字：占空比(標稱值變化百分比)，損耗(W))

　　因此，由于占空比可以作為測量相對損耗的方法使用，可以在數(shù)字實現(xiàn)過程中改變參數(shù)，并對占空比的影響情況進行監(jiān)測。如果占空比增加，則可以在相反的方向調(diào)整參數(shù)，可以減少占空比(和相對損耗)。

　　死區(qū)時間是高側(cè)FET關(guān)斷和低側(cè)FET導(dǎo)通之間的時間，反之亦然。如果死區(qū)時間過長，體二極管導(dǎo)通代表可能會出現(xiàn)損耗。如果死區(qū)時間太短，那么就可能發(fā)生交叉導(dǎo)通，也引入了損耗，如圖11所示。

　　(圖字：損耗(W)，H-L延遲(ns))

　　在大多數(shù)設(shè)計中，最佳死區(qū)時間不是固定值。圖12顯示了幾種情況下低側(cè)柵極信號和開關(guān)節(jié)點的波形。上圖為60納秒時的固定死區(qū)時間。左上圖是電流為1安培的情況，右上圖是20安培負載電流的情況。請注意，也就是說，波形之間的相對差額在中電壓范圍。還要注意，在20安培情況下，開關(guān)節(jié)點電壓中有一些下沖，這表明死區(qū)時間過長(導(dǎo)致體二極管導(dǎo)通)。

　　(圖字：Sw節(jié)點，LS門)

　　下圖有12納秒的固定死區(qū)時間。請注意，在這種情況下，在電流函數(shù)痕跡之間差別不大。因此，理想的死區(qū)時間可能無法由一定的電壓波形來確定。理想的死區(qū)時間很可能是負載電流的一個函數(shù)。請注意，開關(guān)節(jié)點電壓過沖說明有交叉導(dǎo)通，即這種情況說明死區(qū)時間太短。

　　圖13顯示了分別使用60納秒和28納秒最佳死區(qū)時間設(shè)置的1安培和20安培的波形。請注意，開關(guān)節(jié)點的下沖或過沖較少。

　　因為我們知道，相對損耗可以通過占空比測得，數(shù)字控制可以改變死區(qū)時間，同時觀察占空比，從而優(yōu)化了轉(zhuǎn)換器的效率。該算法可優(yōu)化隨負載變化，以及溫度變化，及器件老化的效率，得到最佳效率。