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          20nm最強制程 三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

          —— 幾乎達到了包括相變內(nèi)存在內(nèi)的所有DDR內(nèi)存以及NAND閃存的極限
          作者: 時間:2011-11-30 來源:cnbeta 收藏

            來自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱,已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達到8Gb的相變內(nèi)存顆粒,采用移動設備中常用的LPDDR2界面,此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb,是它的1/8。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/126523.htm

            新的內(nèi)存顆粒最大的亮點是采用目前存儲芯片最先進的20nm制程工藝打造,幾乎達到了包括相變內(nèi)存在內(nèi)的所有DDR內(nèi)存以及的極限。

            相變內(nèi)存結(jié)合了DDR與的特點,具有斷電不掉數(shù)據(jù),耐久性好,速度快等優(yōu)點;根據(jù)內(nèi)存制造材料的每個晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來回轉(zhuǎn)換來存儲數(shù)據(jù)。

            預計將在明年2月在美國舊金山召開的ISSCC會議上公布這種新內(nèi)存的具體細節(jié)。



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